[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202011316313.X | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112420675A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李银* | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/49;H01L23/48 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件包含：
半导体基底，具有相对的第一表面与第二表面；
静电放电构件，设置于所述半导体基底的第一表面上的第一区内；
焊垫，设置于所述半导体基底的第二表面上；
多个导电构件，设置于所述半导体基底内所述第一区外围并接触所述焊垫；及
导线，连接所述静电放电构件与所述多个导电构件中至少一个。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述焊垫于垂直投影方向上与所述静电放电构件及所述多个导电构件重叠。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述静电放电构件于垂直投影方向上与所述多个导电构件不重叠。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述多个导电构件为硅通孔导电构件。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述导线为电源线或源极线。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述静电放电构件包含金属氧化物半导体晶体管，所述金属氧化物半导体晶体管包含设置于所述半导体基底的第一表面上的栅极与设置于半导体基底的第一表面内的多个源极/漏极区。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：所述导线至少导电连接所述金属氧化物半导体晶体管的多个源极/漏极区之一与所述多个导电构件之一。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：所述半导体器件还包含设置于所述金属氧化物半导体晶体管上的第一导电连接体，以及设置于所述多个导电构件上的第二导电连接体，所述第一导电连接体连接所述金属氧化物半导体晶体管的至少一个源极/漏极区与所述导线，而所述第二导电连接体.连接所述至少一个导电构件与所述导线。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：所述第一导电连接体与所述第二导电连接体包含导电接触部、金属层与导电介层孔插塞。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：所述第一导电连接体与所述第二导电连接体包括单个导电通孔的结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011316313.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
