[发明专利]存储器单元、存储器阵列、SRAM器件及其方法

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

数据存储器，具有输入和输出，并且用于在所述输出处将输出信号保持在与所述输入处的输入信号的状态相对应的状态；以及

存取控件，用于向所述数据存储器输入和从所述数据存储器输出数据，

所述存取控件包括：

读取存取控件，用于从读取存取控制线接收在至少一个读取启用状态和至少一个读取禁用状态之间可选择的读取存取控制信号，并且当所述读取访问控制信号处于所述读取启用状态时输出与所述数据存储器的所述输出处的所述输出信号相对应的读取信号线的信号；

第一写入存取控件，用于从第一写入存取控制线接收在至少一个写入启用状态和至少一个写入禁用状态之间可选择的第一写入存取控制信号；和

第二写入存取控件，用于从第二写入存取控制线接收在至少一个写入启用状态与至少一个写入禁止状态之间可选择的第二写入存取控制信号，

所述第一写入存取控件和所述第二写入存取控件协作地用于仅当所述第一写入存取控制信号和所述第二写入存取控制信号均处于其相应的写入启用状态时，允许将来自写入信号线的数据信号写入到所述数据存储器的所述输入。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中：

所述数据存储器包括反相器对，所述反相器对中的每个所述反相器具有输入和输出，每个所述反相器的所述输入连接到另一个所述反相器的所述输出，所述数据存储器的所述输入是一个所述反相器的所述输入，并且所述数据存储器的所述输出是另一个所述反相器的所述输入；

所述第一写入存取控件包括第一多个开关晶体管；以及

所述第二写入存取控件包括第二多个开关晶体管，

所述读取存取控件包括第三多个开关晶体管，

其中，所述第一多个开关晶体管中的至少一个和所述第二多个开关晶体管中的至少一个配置为仅当所述第一多个开关晶体管中的所述至少一个和所述第二多个开关晶体管中的至少一个均导通时，将所述数据存储器的所述输入连接到电源。

3.根据权利要求2所述的存储器单元，其中，

所述反相器对中的每个包括在接点处彼此串联连接的PMOS(p型金属氧化物半导体)晶体管和NMOS(n型金属氧化物半导体)晶体管，所述反相器对中的一个的PMOS晶体管和NMOS晶体管之间的所述接点是所述数据存储器的所述输出，并且所述反相器对中的另一个的PMOS晶体管和NMOS晶体管之间的所述接点所述数据存储器的所述输入，以及

所述第一多个开关晶体管、所述第二多个开关晶体管和所述第三多个开关晶体管中的每个是PMOS晶体管或NMOS晶体管。

4.根据权利要求3所述的存储器单元，其中，所述反相器对中的晶体管具有第一阈值电压，并且所述第一多个开关晶体管中的所述至少一个和所述第二多个开关晶体管中的所述至少一个具有第二阈值电压，所述第二阈值电压低于所述第一阈值电压。

5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中：

所述第一写入存取控件包括用于从相应的第一写入存取控制线对接收相应的第一写入存取控制信号对的第一写入存取输入对；

所述第二写入存取控件包括用于从相应的第二写入存取控制线对接收相应的第二对写入存取控制信号对的第二写入存取输入对，

所述存储器单元还包括第一电源输入和第二电源输入，所述第二电源输入用于处于比所述第一电源输入更高的电压。