[发明专利]一种加热片及其制造方法、加热带及半导体制造设备在审
| 申请号: | 202011299218.3 | 申请日: | 2020-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN114521031A | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
| 发明(设计)人: | 金根浩;周娜;李俊杰;王佳;李琳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号: | H05B3/20 | 分类号: | H05B3/20;H05B3/36;H05B3/28;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 加热 及其 制造 方法 热带 半导体 设备 | ||
本发明公开一种加热片及其制造方法、加热带及半导体制造设备,涉及半导体设备技术领域,以解决加热带中加热线偏移预设位置造成的短路以及发热不均匀的问题。所述加热片包括:第一绝缘薄膜、沉积形成在第一绝缘薄膜上的电热线结构以及第二绝缘薄膜;第二绝缘薄膜形成在第一绝缘薄膜上,用于至少将电热线结构中的间隙进行填充。
技术领域
本发明涉及半导体设备技术领域,尤其涉及一种加热片及其制造方法、加热带及半导体制造设备。
背景技术
半导体制造过程中,半导体制造设备设置有真空腔,真空腔连接有管道,通过管道向真空腔内输送气体参与反应,在反应后,需要将反应产生的副产物输送到真空腔外。而在管道的外周,常设有加热带,用于对管道进行加热。
相关技术提供的加热带,内部采用加热线作为热源,加热线通过缝制在耐热织物上固定。随着加热带尺寸的缩小,加热线之间的间距随之减小。当出现加热线的缝制不到位,或使用过程中加热线出现位移的现象时,会导致加热线会发生短路,以及加热带的发热均一性不足。基于此,会导致加热管道的加热不到位,使得气体会在管道中阻塞,从而对半导体器件制造造成影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种加热片及其制造方法、加热带及半导体制造设备,用于解决加热带中加热线偏移预设位置造成的短路以及发热不均匀的问题。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
第一方面,本发明提供了一种加热片,该加热片应用于半导体制造设备中。该加热片包括第一绝缘薄膜、沉积形成在第一绝缘薄膜上的电热线结构以及第二绝缘薄膜;
第二绝缘薄膜形成在第一绝缘薄膜上,用于至少将电热线结构中的间隙进行填充。
与现有技术相比,本发明提供的加热片中,由于电热线结构通过沉积形成在第一绝缘薄膜上,故电热线结构不会相对第一绝缘薄膜发生位移。因此,电热线结构能够位于预设位置上进行发热,不会出现现有技术中由于加热线偏移预设位置造成的短路或发热不均的问题。而在电热线结构中的间隙填充形成第二绝缘薄膜,第二绝缘薄膜能够进一步固定电热线结构。第二绝缘薄膜同时防止导电物质掉落在上述缝隙中,导致电热线结构的短路,第二绝缘薄膜能起到对电热线结构的保护作用。
第二方面,本发明还提供一种加热带,该加热带应用于半导体制造设备中。该加热带包括至少一个上述技术方案所述的加热片。
与现有技术相比,本发明提供的加热带的有益效果与上述技术方案所述加热片的有益效果相同,此处不做赘述。
第三方面,本发明还提供一种半导体制造设备,该半导体制造设备包括上述技术方案所述的加热带。
与现有技术相比,本发明提供的半导体制造设备的有益效果与上述技术方案所述加热带的有益效果相同,此处不做赘述。
第四方面,本发明还提供一种加热片的制造方法,该方法用于制造上述技术方案中的加热片,包括:
提供一第一绝缘薄膜;
在第一绝缘薄膜上形成第二绝缘薄膜以及电热线结构,第二绝缘薄膜至少形成在电热线结构的间隙。
与现有技术相比,本发明提供的加热片的制造方法的有益效果与上述技术方案所述加热片的有益效果相同,此处不做赘述。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为现有技术提供的一种加热带的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种加热片的示意性剖视图;
图3为本发明实施例提供的一种加热片的结构示意图;
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