[发明专利]一种加热片及其制造方法、加热带及半导体制造设备在审
| 申请号： | 202011299218.3 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114521031A | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 金根浩;周娜;李俊杰;王佳;李琳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H05B3/20 | 分类号： | H05B3/20;H05B3/36;H05B3/28;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 加热 及其 制造 方法 热带 半导体 设备 | ||
1.一种加热片，其特征在于，应用于半导体制造设备中，包括第一绝缘薄膜、沉积形成在所述第一绝缘薄膜上的电热线结构以及第二绝缘薄膜；
所述第二绝缘薄膜形成在所述第一绝缘薄膜上，用于至少将所述电热线结构中的间隙进行填充。
2.根据权利要求1所述的加热片，其特征在于，所述加热片还包括形成在所述电热线结构以及第二绝缘薄膜上的第三绝缘薄膜。
3.根据权利要求1所述的加热片，其特征在于，所述第一绝缘薄膜与所述第二绝缘薄膜的材料为聚酰亚胺。
4.根据权利要求1所述的加热片，其特征在于，所述电热线结构采用金属电沉积法形成。
5.一种加热带，其特征在于，应用于半导体制造设备中，所述加热带包括至少一个权利要求1至4任一项所述的加热片。
6.一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括权利要求5所述的加热带。
7.一种加热片的制造方法，其特征在于，所述加热片的制造方法包括：
提供一第一绝缘薄膜；
在所述第一绝缘薄膜上形成第二绝缘薄膜以及电热线结构，所述第二绝缘薄膜至少形成在所述电热线结构的间隙。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述第一绝缘薄膜上形成第二绝缘薄膜以及电热线结构，包括：
在所述第一绝缘薄膜上沉积形成电热线材料层；
图形化处理所述电热线材料层，得到电热线结构；
在所述第一绝缘薄膜上形成第二绝缘薄膜，所述第二绝缘薄膜至少形成在所述电热线结构的间隙。
9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述第一绝缘薄膜上形成第二绝缘薄膜以及电热线结构，包括：
在所述第一绝缘薄膜上形成第二绝缘薄膜；
图形化所述第二绝缘薄膜，得到目标沟槽；
在所述目标沟槽中填充电热线材料，得到电热线结构。
10.根据权利要求7至9任一项所述的制造方法，其特征在于，在在所述第一绝缘薄膜上形成第二绝缘薄膜以及电热线结构之后，还包括：
形成至少覆盖所述电热线结构以及所述第二绝缘薄膜的第三绝缘薄膜。
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