[发明专利]含噻吩并[3,4-b]吡嗪的共轭聚合物及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202011297961.5 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN112321806B 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 陆燕;何泽旺;韩冬;韩洪停 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;H10K85/10;H10K50/10
代理公司: 天津耀达律师事务所 12223 代理人: 廖晓荣
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 噻吩 共轭 聚合物 及其 制备 方法 应用
【说明书】:

发明提供了含噻吩并[3,4‑b]吡嗪的共轭聚合物及其制备方法和应用,制备方法是:将噻吩并[3,4‑b]吡嗪衍生物单体A、芳香二溴单体B、过渡金属催化剂、溶剂、配体、碱、添加剂混合均匀,在一定气氛中,90‑120℃,反应时间12‑72小时。反应结束后,冷却至室温,提纯,得到含噻吩并[3,4‑b]吡嗪的共轭聚合物。本发明采用直接芳基化偶联聚合,与制备这类聚合物常用的Stille偶联和Suzuki偶联聚合等制备技术相比,明显缩短了合成步骤,避免了制备有机金属试剂或硼酸酯中间体,无需对聚合物进行封端处理,成本低,所制备的聚合物在有机发光二极管(OLED)的应用中表现出良好的性能。

技术领域

本发明属于共轭聚合物技术领域,具体涉及一种噻吩并[3,4-b]吡嗪的共轭聚合物及其制备方法和应用。

背景技术

含噻吩并[3,4-b]吡嗪结构单元的共轭聚合物在光电材料中具有广泛的应用。目前该类聚合物主要通过Suzuki、Stille偶联聚合方法制备。这两种聚合方法均需要对共聚单体进行预官能化,制备其相应的卤代物和金属锡化合物或硼酸酯衍生物。单体合成反应步骤多,成本高,合成条件苛刻,制备的金属锡化物稳定性差,不易保存。另外,所制备的聚合物在作为活性材料用于光电器件时,往往需要对聚合物进行封端处理以保证器件性能。

发明内容

本发明的目的克服现有技术存在的上述不足,提供一种含噻吩并[3,4-b]吡嗪单元的共轭聚合物及其制备方法和应用,该制备方法以噻吩并[3,4-b]吡嗪衍生物和芳香二溴化物为单体,利用过渡金属催化剂催化的直接芳基化偶联缩聚法,制备了含噻吩并[3,4-b]吡嗪单元的共轭聚合物。本发明与Suzuki、Stille偶联聚合方法相比,具有合成步骤少,避免预先合成有机金属化合物或硼酸酯中间体,无需封端、成本低的优势。

本发明的技术方案

一种含噻吩并[3,4-b]吡嗪共轭聚合物的制备方法,包括以下步骤:

1)将噻吩并[3,4-b]吡嗪衍生物单体A、芳香二溴单体B、过渡金属催化剂、溶剂、配体、碱性物质和添加剂在室温下混合均匀后,在适当气体氛围中,升温至90-120℃下搅拌反应12-72小时。反应结束后,冷却至室温。

2)将所得反应液滴加到适量甲醇中进行沉降,抽滤得到粗产品。

3)将粗产品依次用甲醇、正己烷、氯仿进行索氏提取,收集氯仿提取液,旋蒸除去除剂后真空干燥得到纯品,即为含噻吩并[3,4-b]吡嗪共轭聚合物。

所述单体A的结构通式为:

其中,R1为H、C1-C20烷基、苯基或取代苯基。

所述单体B的结构通式为:

具体包括如下结构式:

其中,R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8均为H、C1-C20烷基、C1-C20烷基取代基或卤素。所述X为碳、氮或硅。

所述C1-C20烷基取代基中的取代基可以选自下列基团:环烷基、芳基、杂芳基、杂脂环基、羟基、烷氧基、芳氧基、巯基、烷硫基、芳硫基、卤代、羰基、硫代羰基、O-氨基甲酰基、N-氨基甲酰基、O-硫代氨基甲酰基、N-硫代氨基甲酰基、C-酰胺基、N-酰胺基、S-亚磺酰氨基、N-亚磺酰氨基、C-羧基、O-羧基、氰硫基、硝基、三卤代甲烷磺酰基或甲硅烷基。

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