[发明专利]压电陶瓷芯片的制备方法、压电陶瓷芯片组件及显示装置在审
申请号: | 202011296362.1 | 申请日: | 2020-11-18 |
公开(公告)号: | CN114520287A | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 陈右儒 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L41/27 | 分类号: | H01L41/27;H01L41/29;H01L41/31;H01L41/113;H01L27/20;G06F3/01;G06F3/041 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 陶瓷 芯片 制备 方法 组件 显示装置 | ||
1.一种压电陶瓷芯片的制备方法,其特征在于,包括:
提供一衬底,在所述衬底上形成压电陶瓷层和覆盖所述压电陶瓷层的底电极;
提供一基板,将所述压电陶瓷层和底电极转移至所述基板,且使所述压电陶瓷层位于所述底电极背离所述基板的一侧;
在所述基板上形成具有开口的绝缘层,以使所述绝缘层能够覆盖所述压电陶瓷层和底电极的边缘,且所述开口能够暴露出所述压电陶瓷层;
将所述基板浸入在所述底电极材料的刻蚀液内进行刻蚀;
在所述绝缘层的开口内形成顶电极,使所述顶电极与所述绝缘层之间具有间隔。
2.根据权利要求1所述的压电陶瓷芯片的制备方法,其特征在于,其中,在所述衬底上形成所述底电极和压电陶瓷层以及将所述底电极和压电陶瓷层转移至所述基板,包括:
在所述衬底上生长所述压电陶瓷层;
在所述压电陶瓷层背离所述衬底的一侧形成所述底电极;
将所述基板覆盖在底电极上,通过形成于所述基板和底电极之间的粘接层粘接;
利用激光切割技术对所述衬底和所述压电陶瓷层的接触面进行切除,以使所述底电极、压电陶瓷层、基板与所述衬底分离。
3.根据权利要求2所述的压电陶瓷芯片的制备方法,其特征在于,所述底电极和粘接层的材料为均为金属材料。
4.根据权利要求3所述的压电陶瓷芯片的制备方法,其特征在于,所述通过形成于所述基板和底电极之间的粘接层粘接包括:
在所述压电陶瓷层背离所述衬底的一侧形成第一金属粘接层;
在所述基板上形成第二金属粘接层;
将所述基板覆盖在所述压电陶瓷层上,使所述第一金属粘接层和第二金属粘接层接触,通过焊接使所述第一金属粘接层和第二金属粘接层结合为一体。
5.一种压电陶瓷芯片组件,其特征在于,包括基板和设于所述基板上的至少一个第一压电陶瓷芯片、至少一个第二压电陶瓷芯片和具有第二开口区的绝缘层;
其中,所述第一压电陶瓷芯片包括依次层叠设置于所述基板上的第一底电极、第一压电陶瓷层和第一顶电极;
其中,所述第二压电陶瓷芯片包括设于所述基板上的第二顶电极,所述第二顶电极位于所述绝缘层的第二开口区内,所述第二顶电极和所述绝缘层之间具有间隔。
6.根据权利要求5所述的压电陶瓷芯片组件,其特征在于,所述第二压电陶瓷芯片还包括第二底电极,所述第二底电极围绕设于所述第二顶电极外周,所述绝缘层还覆盖所述第二底电极,且所述绝缘层和第二底电极靠近所述第二顶电极的边缘在所述基板厚度方向上平齐。
7.根据权利要求6所述的压电陶瓷芯片组件,其特征在于,所述第一顶电极在所述基板上的投影位于所述第一压电陶瓷层的投影内,所述绝缘层还具有第一开口区且所述第一开口区露出所述第一压电陶瓷层,所述绝缘层覆盖所述第一底电极和第一压电陶瓷层的边缘,所述第一顶电极位于所述第一开口区内且与所述绝缘层之间具有间隔。
8.根据权利要求7所述的压电陶瓷芯片组件,其特征在于,所述压电陶瓷芯片组件还包括粘接层,所述粘接层设于所述第一底电极和所述基板之间,还设于所述第二底电极和所述基板之间。
9.根据权利要求8所述的压电陶瓷芯片组件,其特征在于,所述底电极和所述粘接层的材料均为金属材料。
10.根据权利要求9所述的压电陶瓷芯片组件,其特征在于,所述粘接层包括第一金属粘接层和第二金属粘接层,所述第一金属粘接层在所述基板上的投影与各所述第一底电极、第二底电极的投影完全重叠,第二金属粘接层在基板上的投影覆盖所述第一金属粘接层的投影,所述第一金属粘接层和第二金属粘接层的边缘与所述绝缘层的边缘在基板厚度方向上平齐。
11.根据权利要求10所述的压电陶瓷芯片组件,其特征在于,所述第一压电陶瓷芯片和第二压电陶瓷芯片的最大外径大于或等于5μm。
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