[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包含衬底和层叠于所述衬底上的堆叠层，其中，所述堆叠层包括交替设置的层间绝缘层和牺牲层，所述牺牲层用于被置换成栅极层；所述堆叠层形成有阶梯结构，所述阶梯结构具有多个台阶；所述阶梯结构上层叠有阶梯式的阻挡层和氧化层；

在所述阻挡层上形成阶梯式的金属刻蚀停止层；

以所述金属刻蚀停止层作为停止层对所述氧化层进行刻蚀形成接触孔，所述接触孔中暴露部分所述金属刻蚀停止层；

以所述栅极层作为停止层在所述接触孔中对所述金属刻蚀停止层以及所述阻挡层进行刻蚀，使得所述接触孔中暴露部分所述栅极层；

在所述接触孔内填充导电材料层。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，在所述阻挡层上形成阶梯式的金属刻蚀停止层的步骤包括：

在所述阻挡层上形成阶梯式的刻蚀停止层；

将所述牺牲层、所述刻蚀停止层分别置换为所述栅极层、所述金属刻蚀停止层。

3.根据权利要求2所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料包括氮化硅。

4.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述金属刻蚀停止层的材料包括钨。

5.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，对所述金属刻蚀停止层以及所述阻挡层进行刻蚀采用干法刻蚀。

6.根据权利要求2所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述氧化层与阶梯式的所述刻蚀停止层的顶部台阶齐平。

7.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述在所述接触孔内填充导电材料层的步骤，包括：

沿所述接触孔内壁沉积绝缘层；

在所述接触孔底部刻蚀穿通所述绝缘层；

在所述接触孔内填充导电材料层。

8.一种三维存储器，其特征在于，包括：

半导体结构，所述半导体结构包含衬底和层叠于所述衬底上的堆叠层，其中，所述堆叠层包括交替设置的层间绝缘层和栅极层；所述堆叠层形成有阶梯结构，所述阶梯结构具有多个台阶；所述阶梯结构上形成有阶梯式的阻挡层；

在所述阻挡层上的阶梯式的金属刻蚀停止层；

在所述金属刻蚀停止层上的氧化层；

在所述氧化层中的接触孔，所述接触孔垂直延伸穿过所述金属刻蚀停止层和所述阻挡层，且所述接触孔内填充有导电材料层与所述栅极层接触。

9.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述金属刻蚀停止层的材料包括钨。

10.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述氧化层与阶梯式的所述金属刻蚀停止层的顶部台阶齐平。

11.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述接触孔内还填充有绝缘层，所述绝缘层围绕所述导电材料层。

12.根据权利要求8或11所述的三维存储器，其特征在于，多个所述接触孔内的所述导电材料层与多个所述台阶的所述栅极层一一对应接触。