[发明专利]一种低反射增透膜及其制备工艺

说明书

本发明公开了一种低反射增透膜及其制备工艺，低反射增透膜包括原有膜系结构，还包括设于原有膜系结构中的第一附加膜和第二附加膜，第一附加膜和第二附加膜分别取代底层和光学介质层的部分厚度，使增加附加结构后的整体厚度与原有膜系结构的厚度相同。在制备工艺中，在透明基底中镀膜形成底层和光学介质层时减小每一层的镀膜量，同时增加镀膜形成附加结构，使增加附加结构后的整体厚度与原有膜系结构的厚度相同。本发明通过降低原有膜系结构的厚度，并在其中增加附加结构以取代减少的层厚度，达到带宽前移的效果，能够对于波长范围在400～420nm的紫光达到低反射增透的效果，从而避免了紫光成像不良的问题，改善了成像效果。

技术领域

本发明涉及光学薄膜技术领域，尤其涉及一种低反射增透膜及其制备工艺。

背景技术

随着科技的发展，智能手机逐渐得到普及并潜移默化地改变着人们的生活方式。智能手机具有独立的操作系统，能够供用户自行安装各种由第三方服务商提供的程序以具备不同的功能。其中，随着多摄智能手机的面世，如今智能手机的成像效果成为消费者的重要考量因素之一，优秀的拍摄效果能够大幅度提升产品的市场竞争力。

为了适应市场需求，如今智能手机的成像技术面临着严峻的挑战。紫光的波长范围在400～435nm之间，现有技术中滤光片朝向芯片的AR面(低反射增透面)，需要达到如下技术要求：对于入射角为0°与30°、波长为420nm-700nm的光束，其光量值≤0.8％；基于此，现有技术的滤光片难以对波长范围在400～420nm的紫光达到增透效果，因此容易出现紫光成像的不良现象。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种低反射增透膜及其制备工艺，解决现有技术中的滤光片易导致紫光成像不良的问题。

为实现上述目的，本发明提供以下的技术方案：

一种低反射增透膜，包括设置于透明基底上的原有膜系结构，所述原有膜系结构包括底层和设置于底层上的光学介质层，所述光学介质层包括若干呈交错叠加布置的低折射率介孔层和高折射率致密层，还包括设于所述底层和所述光学介质层中的附加结构；

所述附加结构包括第一附加膜和第二附加膜，所述第一附加膜和第二附加膜分别取代所述底层和所述光学介质层的部分厚度，使增加附加结构后的总厚度不变。

可选的，所述底层靠近于透明基底设置，所述光学介质层设于所述底层的顶部；

所述第一附加膜设置于所述底层与所述透明基底之间，所述第一附加膜取代所述底层的一半厚度，且所述第一附加膜与所述底层的材质相同；

所述底层的材质为MgF₂。

可选的，所述第二附加膜设置于所述光学介质层的顶部，所述第二附加膜的材质为SiO₂。

可选的，所述第一附加膜和第二附加膜设置于所述光学介质层的顶部，所述第一附加膜和第二附加膜的材质分别与所述低折射率介孔层和高折射率致密层的材质相同。

可选的，所述低折射率介孔层为SiO₂介孔层，所述高折射率致密层为Ti₃O₅致密层。

可选的，所述底层、光学介质层和附加结构组合形成十一层的膜系结构。

本发明还提供了一种低反射增透膜的制备工艺，包括步骤：在透明基底中镀膜形成底层和光学介质层，所述光学介质层包括若干层呈交错叠加布置的低折射率介孔层和高折射率致密层，所述在透明基底中镀膜形成底层和光学介质层时减小每一层的镀膜量，同时增加镀膜形成附加结构，其中附加结构的总厚度与各层镀膜量的减小量之和相同；

所述附加结构包括分别取代所述底层和所述光学介质层的部分厚度的第一附加膜和第二附加膜。