[发明专利]一种低反射增透膜及其制备工艺

权利要求书

1.一种低反射增透膜，其特征在于，包括设置于透明基底上的原有膜系结构，所述原有膜系结构包括底层和设置于底层上的光学介质层，所述光学介质层包括若干呈交错叠加布置的低折射率介孔层和高折射率致密层，还包括设于所述底层和所述光学介质层中的附加结构；

所述附加结构包括第一附加膜和第二附加膜，所述第一附加膜和第二附加膜分别取代所述底层和所述光学介质层的部分厚度，使增加附加结构后的总厚度不变。

2.根据权利要求1所述的低反射增透膜，其特征在于，所述底层靠近于透明基底设置，所述光学介质层设于所述底层的顶部；

所述第一附加膜设置于所述底层与所述透明基底之间，所述第一附加膜取代所述底层的一半厚度，且所述第一附加膜与所述底层的材质相同；

所述底层的材质为MgF₂。

3.根据权利要求2所述的低反射增透膜，其特征在于，所述第二附加膜设置于所述光学介质层的顶部，所述第二附加膜的材质为SiO₂。

4.根据权利要求1所述的低反射增透膜，其特征在于，所述第一附加膜和第二附加膜设置于所述光学介质层的顶部，所述第一附加膜和第二附加膜的材质分别与所述低折射率介孔层和高折射率致密层的材质相同。

5.根据权利要求1所述的低反射增透膜，其特征在于，所述低折射率介孔层为SiO₂介孔层，所述高折射率致密层为Ti₃O₅致密层。

6.根据权利要求1所述的低反射增透膜，其特征在于，所述底层、光学介质层和附加结构组合形成十一层的膜系结构。

7.一种低反射增透膜的制备工艺，其特征在于，包括步骤：在透明基底中镀膜底层和光学介质层形成的原有膜系结构，所述光学介质层包括若干层呈交错叠加布置的低折射率介孔层和高折射率致密层，所述在透明基底中镀膜形成底层和光学介质层时减小每一层的镀膜量，同时增加镀膜形成附加结构，其中附加结构的总厚度与各层镀膜量的减小量之和相同，使增加附加结构后的整体厚度与所述原有膜系结构的厚度相同；

所述附加结构包括分别取代所述底层和所述光学介质层的部分厚度的第一附加膜和第二附加膜。

8.根据权利要求7所述的低反射增透膜的制备工艺，其特征在于，在透明基底中镀膜形成底层时，底层的镀膜量减小50％，所述底层的材质为MgF₂；

在透明基底中镀膜形成底层之前，在所述透明基底中镀膜第一附加膜，所述第一附加膜与所述底层的材质相同，且所述第一附加膜取代原底层的50％厚度；

在镀膜形成光学介质层之后，在所述光学介质层顶部镀膜第二附加膜，所述第二附加膜的材质为SiO₂。

9.根据权利要求7所述的低反射增透膜的制备工艺，其特征在于，在镀膜形成光学介质层之后，在所述光学介质层顶部依次镀膜第一附加膜和第二附加膜，所述第一附加膜和第二附加膜的材质分别与所述低折射率介孔层和高折射率致密层的材质相同；

所述低折射率介孔层为SiO₂介孔层，所述高折射率致密层为Ti₃O₅致密层。

10.根据权利要求7～9任一项所述的低反射增透膜的制备工艺，其特征在于，所述各层镀膜量的减小量的平均值为3％～5％，且所述底层、光学介质层和附加结构组合形成十一层的膜系结构。