[发明专利]一种新型晶元体及其制备方法在审

申请号：	202011286934.8	申请日：	2020-11-17
公开（公告）号：	CN112466744A	公开（公告）日：	2021-03-09
发明（设计）人：	黄亚军;黎忠瑾	申请（专利权）人：	深圳宝铭微电子有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02
代理公司：	深圳市徽正知识产权代理有限公司 44405	代理人：	卢杏艳
地址：	518000 广东省深圳市龙岗区龙***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	一种新型晶元体及其制备方法
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【权利要求书】：

1.一种新型晶元体，包括衬底，其特征在于：所述衬底镜片包含有一定浓度的间隙氧原子，所述衬底内设置有至少两种薄膜，该薄膜形成于所述衬底的不同预设水平区域内，所述衬底相反的两个侧面为一基准面和一抛光面，所述基准面上设置有一覆盖层，所述覆盖层覆盖衬底的基准面，且覆盖层为表面为Si面，所述抛光面为SiC面。

2.根据权利要求1所述的一种新型晶元体，其特征在于：所述衬底为Si₃N₄陶瓷衬底，采用SiN为原材料，使用Lu₂O₃为烧结剂，使用高等静压方法在氮气氛围中烧结成型。

3.根据权利要求2所述的一种新型晶元体，其特征在于：所述Si₃N₄陶瓷衬底的烧结温度范围为2000℃-2300℃，压强范围为100atm至200atm。

4.根据权利要求1所述的一种新型晶元体，其特征在于：所述的至少两种薄膜层其材料互不相同，其厚度均相同。

5.根据权利要求1所述的一种新型晶元体，其特征在于：所述Si面和SiC面的厚度均介于500um-700um之间，所述Si面以SiHCl₃作为反应气体，于温度为1300℃-1800℃，压强为600Torr-650Torr条件下与衬底上形成Si面，所述SiC面以SiHCl₃和C₃H₈作为反映气体，于温度为1500℃-1900℃，压强为600Torr-650Torr条件下与衬底上形成SiC面。

6.根据权利要求1所述的一种新型晶元体制备方法，其特征在于，该方法由以下几个步骤实现：

a：取用SiN为原材料，使用Lu₂O₃为烧结剂，在氮气氛围中烧结成型Si₃N₄陶瓷衬底；

b：在所述衬底上沉积刻蚀形成至少两种不同类型的薄膜层；

c：以SiHCl₃作为反应气体，于温度为1300℃-1800℃，压强为600Torr-650Torr条件下与衬底上形成Si面。

d：于温度为1500℃-1900℃，压强为600Torr-650Torr条件下与衬底上形成SiC面。

7.根据权利要求6所述的一种新型晶元体制备方法，其特征在于，所述步骤b的具体步骤如下：

b1：在所述衬底上沉积第一薄膜层；

b2：光罩所述第一薄膜层对应的第一预设区域，通过刻蚀工艺对第一预设区域内的第一薄膜层进行去除，即形成第一预设区域内的第一薄膜层；

b3：在所述衬底的其他预设区域沉积第二薄膜层；

b4：光罩所述第二薄膜层对应的第二预设区域，通过刻蚀工艺对第一预设区域内的第二薄膜层进行去除，即形成第二预设区域内的第二薄膜层。

重复以上操作，即可完成多层薄膜层的形成工作。

8.根据权利要求6所述的一种新型晶元体制备方法，其特征在于：所述第一薄膜层与第二薄膜层所使用的材料不同，所述第一薄膜层与第二薄膜层的厚度举均相同。