[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 202011257564.5 申请日: 2020-11-12
公开(公告)号: CN112420946A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 张乐陶 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 李新干
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置
【说明书】:

一种显示面板,包括一阵列基板,还包括:阳极,设置于阵列基板上并与阵列基板电性连接;牺牲层,设置于阳极的表面上,以暴露阳极的部分表面;以及,疏水层,设置于牺牲层上,并覆盖牺牲层及暴露的阵列基板;其中,疏水层具有多个开口以暴露阳极的部分表面。

技术领域

本申请涉及显示装置技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)技术是显示面板行业的发展趋势,相比液晶显示器(Liquid Crystal Display),LCD而言,OLED具有结构简化、色域更广、响应时间更快等优点。AMOLED技术目前已量产的是底发光的WOLED,但该技术采用蒸镀方法制备OLED器件,对有机发光材料的浪费极大;且WOLED需要彩膜层(CF)来滤色才能得到RGB,因而能耗相比传统LCD并不占优;此外,开口率低是底发光结构的先天缺陷,不利于高分辨显示应用。相比底发光的WOLED,顶发光的喷墨打印(IJP)技术对原材料利用超过80%,无需CF进行滤色即可发出RGB色光,且顶发光有利于提高开口率。正常的顶发光IJP技术是在TFT基板上依次制备平坦层(PLN)、LED阳极,以及Bank层。

请参阅图1,图1是一种常规显示面板的结构示意图。所述常规显示面板包括一阵列基板100;设置于所述阵列基板100一侧表面上的至少一阳极200;设置于所述阳极200背离所述阵列基板100一侧表面上的疏水层400,且所述疏水层400覆盖所述阵列基板100以及部分所述阳极200,并用以暴露所述阳极200的部分表面。其中,所述阵列基板100包括一衬底101、设置于所述衬底101上的复数个薄膜晶体管102、覆盖所述复数个薄膜晶体管102的一钝化层103,以及设置于所述钝化层103背离所述衬底101一侧上的一平坦层104,所述阳极200设置于所述平坦层104上并与所述薄膜晶体管102电性连接。

目前Bank层主要采用含F基团来降低材料表面能,从而使得疏水性变强。Bank图形化之后,在阳极发光区表面会有一些光阻残留,导致打印时墨水的铺展性变差。一般会用氧化性气体的等离子体处理方法将阳极发光区表面的光阻残留去除,同时增大阳极表面的功函数;但由于Bank表面疏水层很薄,且处理过后Bank材料的表面能急剧增大,导致Bank丢失疏水性。

因此,亟需提供一种新的显示面板及其制备方法、显示装置,以解决上述问题。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,通过在阳极与疏水层之间配置牺牲层,利用牺牲层分隔阳极与疏水层,从而解决阳极上有疏水材料残留的问题,改善打印墨水的铺展性。

本申请提供一种显示面板,包括一阵列基板,所述显示面板还包括:阳极,所述阳极设置于所述阵列基板上并与所述阵列基板电性连接;牺牲层,所述牺牲层设置于所述阳极的表面上,以暴露所述阳极的部分表面;以及,疏水层,所述疏水层设置于所述牺牲层上,并覆盖所述牺牲层及暴露的所述阵列基板;其中,所述疏水层具有多个开口以暴露所述阳极的部分表面。

在一些实施例中,所述疏水层的材料为疏水性有机光阻。

在一些实施例中,所述疏水性有机光阻为聚酰亚胺系、亚克力系中的任一种。

在一些实施例中,所述牺牲层包括在不损伤所述疏水层的水溶性或有机溶液中可缓慢溶解的材料。

在一些实施例中,所述牺牲层的材料为氧化钨。

在一些实施例中,所述阳极的材料为氧化铟锡、氧化铟锌及氧化钨中的至少一种与金属的组合。

本申请还提供一种显示装置,包括如上所述的显示面板。

本申请还提供一种如上所述的显示面板的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:

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