[发明专利]一种OLED显示面板及其制备方法在审
| 申请号: | 202011217415.6 | 申请日: | 2020-11-04 |
| 公开(公告)号: | CN112420782A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
| 发明(设计)人: | 马倩;周星宇 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种OLED显示面板及其制备方法。所述OLED显示面板包括衬底基板、位于所述衬底基板上且对应非发光区的遮光金属层、位于所述衬底基板上且对应发光区的彩色滤光层、位于所述遮光金属层远离所述衬底基板的一侧的TFT结构层、位于所述彩色滤光层远离所述衬底基板的一侧的第一透明电极层、以及位于所述TFT结构层和所述第一透明电极层之上的像素电极层。所述第一透明电极层与所述TFT结构层的有源层同层设置。其中,在所述发光区,所述像素电极层与所述第一透明电极层之间形成耦合电容。本发明在形成有源层的同时,在发光区内形成一层透明电极,与顶部的像素电极层构成耦合电容,可以节省一道电极工艺。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法。
背景技术
AMOLED显示面板是面板行业的发展趋势,相比液晶显示面板而言,OLED显示面板具有结构简单、色域更广、响应时间更快等优点。AMOLED显示面板目前已量产的是底发光OLED显示面板。
现有技术的底发光OLED显示面板,通过在衬底基板上的发光区内增加一层电极作为透明电容的第一极板,在形成有源层的同时,在发光区内同时形成一层氧化物半导体层,作为透明电容的第二极板,即将电容区与发光区合并,提高面板的开口率,然后将彩色滤光层制备于氧化物半导体层之上,最后制备像素电极、有机发光层、以及公共电极,完成OLED显示面板的制备。但此方案需要多做一层电极,导致生产成本上升,且工艺复杂,难度大。故,有必要改善这一缺陷。
发明内容
本发明实施例提供一种OLED显示面板,用于解决现有技术的OLED显示面板设置透明电容导致生产成本上升,且工艺复杂,难度大的技术问题。
本发明实施例提供一种OLED显示面板,定义多个阵列排布的像素区域,每个所述像素区域中分成发光区以及非发光区,所述OLED显示面板包括:衬底基板、遮光金属层、彩色滤光层、TFT结构层、第一透明电极层、以及像素电极层。遮光金属层位于所述衬底基板上且对应所述非发光区。彩色滤光层位于所述衬底基板上且对应所述发光区,与所述遮光金属层间隔设置。TFT结构层位于所述遮光金属层远离所述衬底基板的一侧。第一透明电极层位于所述彩色滤光层远离所述衬底基板的一侧,且与所述TFT结构层的有源层同层设置。像素电极层一端与所述TFT结构层的漏极相连,另一端与所述显示面板的有机发光层相连。其中,在所述发光区,所述像素电极层与所述第一透明电极层之间形成耦合电容。
本发明实施例提供的OLED显示面板中,所述TFT结构层还包括位于所述有源层之上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层之上的栅极、位于所述栅极和所述第一透明电极层之上的层间绝缘层、位于所述层间绝缘层之上的源极、位于所述源极和所述漏极之上的钝化层、以及位于所述钝化层之上的平坦化层。其中,在所述发光区,所述像素电极层位于第一凹槽内侧,所述第一凹槽贯穿所述平坦化层、所述钝化层、以及部分所述层间绝缘层。
本发明实施例提供的OLED显示面板中,对应所述第一凹槽内侧的所述像素电极层包括第二凹槽,所述有机发光层位于所述第二凹槽内。
本发明实施例提供的OLED显示面板中,所述第一凹槽的宽度大于所述有机发光层的宽度。
本发明实施例提供的OLED显示面板中,所述第一透明电极层的材料包括导体化的铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、或铟镓锌锡氧化物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





