[发明专利]一种太阳能电池的金属-半导体复合电流密度的检测方法在审
申请号: | 202011204147.4 | 申请日: | 2020-11-02 |
公开(公告)号: | CN114448350A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 杨慧;李硕;沈雯;邓伟伟;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
主分类号: | H02S50/10 | 分类号: | H02S50/10;H02S50/15 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 金属 半导体 复合 电流密度 检测 方法 | ||
本发明公开了一种太阳能电池的金属‑半导体复合电流密度的检测方法。所述太阳能电池的金属‑半导体复合电流密度的检测方法包括:制备测试样片以及表征样片;测试表征样片,以获得单面复合电流密度;采用光致发光设备测试测试样片,根据测试数据计算获得各金属化区域的总电流密度;计算各金属化区域的金属化面积;根据各金属化区域的金属化面积以及总电流密度,确定金属化面积与总电流密度的第一关系式中,金属化面积的系数值;提取第一关系式中金属化面积的系数公式;根据系数值、单面复合电流密度以及系数公式,计算获得金属‑半导体复合电流密度。本发明实施例提供的技术方案,简化了金属‑半导体复合电流的测试过程,提高了测量结果的准确性。
技术领域
本发明实施例涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池的金属-半导体复合电流密度的检测方法。
背景技术
太阳能电池的电流复合损失主要包括发射极复合损失、前表面金属-半导体复合损失、体材料复合损失、背表面复合损失及背表面金属-半导体复合损失。其中,包括前表面金属-半导体复合损失和背表面金属-半导体复合损失在内的金属-半导体复合损失占据了很大的比例。为了提高太阳能电池的转化效率,准确测试金属-半导体复合电流并对其进行优化尤为重要。
目前常用金属-半导体复合电流的测试方法包括如下两种:洗金属法和Suns_Voc法。其中,洗金属法需要用王水洗去发射极表面的金属,再用WCT-120设备进行测试,该方法制样复杂,且受金属残留影响,测试结果波动较大,准确性较差。Suns_Voc法则需要在电池片背面印刷全背铝浆料,再用Suns_Voc设备测试,该方法成本较大,且受氙灯光照不均匀影响,测试结果波动较大,准确性较差。
发明内容
本发明提供一种太阳能电池的金属-半导体复合电流密度的检测方法,以简化金属-半导体复合电流的测试过程,提高测量结果的准确性。
本发明实施例提供了一种太阳能电池的金属-半导体复合电流密度的检测方法,包括:
制备测试样片以及表征样片;所述测试样片的一侧表面具有金属网络,所述金属网络包括多个金属化区域以及一个非金属化区域,所述非金属化区域的面积大于光致发光设备中感测线圈所在区域的面积;所述表征样片仅包括非金属化区域;
测试所述表征样片,以获得单面复合电流密度;
采用光致发光设备测试所述测试样片,根据测试数据计算获得各所述金属化区域的总电流密度;
计算各所述金属化区域的金属化面积;
根据各金属化区域的金属化面积以及总电流密度,确定金属化面积与总电流密度的第一关系式中,金属化面积的系数值;
提取所述第一关系式中金属化面积的系数公式;
根据所述系数值、所述单面复合电流密度以及所述系数公式,计算获得所述金属-半导体复合电流密度。
本发明实施例提供的技术方案,通过制备测试样片以及表征样片,测试表征样片,以获得单面复合电流密度,采用光致发光设备测试测试样片,根据测试数据计算获得各金属化区域的总电流密度,计算各金属化区域的金属化面积,根据各金属化区域的金属化面积以及总电流密度,确定金属化面积与总电流密度的第一关系式中,金属化面积的系数值,提取第一关系式中金属化面积的系数公式,根据系数值、单面复合电流密度以及系数公式,计算获得金属-半导体复合电流密度,达到了简化金属-半导体复合电流的测试过程,提高测量结果的准确性的有益效果。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1是本发明实施例提供的一种太阳能电池的金属-半导体复合电流密度的检测方法的流程示意图;
图2是本发明实施例提供的一种制备测试样片以及表征样片的方法流程示意图;
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