[发明专利]基片收纳装置和基片输送装置的真空输送单元的维护方法在审
| 申请号: | 202011138374.1 | 申请日: | 2020-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN112786503A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
| 发明(设计)人: | 海瀬拓也 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 收纳 装置 输送 真空 单元 维护 方法 | ||
1.一种基片收纳装置,其特征在于:
设置于接连设置有多个真空输送单元的基片输送装置,并在接连设置方向上与所述真空输送单元相邻,所述真空输送单元在内部具有保持并输送基片的基片输送机构,
所述基片收纳装置包括:
中空的壳体,其在所述接连设置方向的一侧的侧壁形成有对所述真空输送单元送入送出基片的送入送出口;
在上下方向上可移动地设置于所述壳体内的分隔部件;和
能够使所述分隔部件上下移动的驱动机构,
当将所述壳体内的空间在上下方向上分割时的所述送入送出口侧的空间设为第一空间,并将所述送入送出口侧的相反侧的空间设为第二空间时,
从所述第一空间与所述第二空间连通的状态,通过使所述分隔部件在上下方向上移动,能够用所述分隔部件将所述第一空间和所述第二空间气密地隔开。
2.如权利要求1所述的基片收纳装置,其特征在于:
在所述壳体的所述第二空间具有能够载置基片的载置台。
3.如权利要求2所述的基片收纳装置,其特征在于:
所述载置台具有能够加热所载置的基片的加热机构。
4.如权利要求3所述的基片收纳装置,其特征在于:
包括包围所述载置台并在上下方向上可移动的遮挡部件。
5.如权利要求4所述的基片收纳装置,其特征在于:
所述遮挡部件形成为在侧部具有基片的出入口的箱状。
6.如权利要求5所述的基片收纳装置,其特征在于:
包括安装在所述载置台的外周的环状部件,
当用所述分隔部件将所述第一空间和所述第二空间气密地隔开时,安装有所述环状部件的状态的所述载置台被所述遮挡部件包围,所述遮挡部件的所述出入口的上端位于比所述环状部件的上端靠下方处。
7.如权利要求4~6中任一项所述的基片收纳装置,其特征在于,包括:
当在所述真空输送单元的所述基片输送机构与所述载置台之间交接基片时支承该基片的基片支承销;和
能够使所述基片支承销在上下方向上移动的销驱动机构,
所述遮挡部件在所述销驱动机构的驱动下在上下方向上移动。
8.如权利要求4所述的基片收纳装置,其特征在于:
所述遮挡部件通过所述驱动机构上下移动。
9.如权利要求8所述的基片收纳装置,其特征在于,包括:
支承所述遮挡部件的遮挡支承部件;和
限位部件,其通过从下方抵接到所述遮挡支承部件来限定所述遮挡部件的上下方向的位置,
所述分隔部件弹性地连接于所述遮挡支承部件。
10.如权利要求1或2所述的基片收纳装置,其特征在于:
所述壳体在所述第二空间侧且所述接连设置方向的另一侧的侧壁也形成有对所述真空输送单元送入送出基片的送入送出口。
11.一种基片输送装置,其特征在于:
多个真空输送单元接连设置,在接连设置方向上与所述真空输送单元相邻的位置具有权利要求1~10中任一项所述的基片收纳装置。
12.一种基片输送装置的真空输送单元的维护方法,其特征在于:
所述真空输送装置中经由基片收纳装置接连设置有多个真空输送单元,所述真空输送单元在内部具有保持并输送基片的基片输送机构,
所述基片收纳装置包括:
中空的壳体,其在所述接连设置方向的一侧的侧壁形成有对所述真空输送单元送入送出基片的送入送出口;和
在上下方向上可移动地设置于所述壳体内的分隔部件,
该方法包括:
当将所述壳体内的空间在上下方向上分割时的所述送入送出口侧的空间设为第一空间,并将所述送入送出口侧的相反侧的空间设为第二空间时,从所述第一空间与所述第二空间连通的状态,通过使所述分隔部件在上下方向上移动,能够用所述分隔部件将所述第一空间和所述第二空间气密地隔开的步骤;以及
仅将与所述第一空间和所述第二空间的任一者连通的所述真空输送单元向大气开放的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





