[发明专利]芯片晶圆、芯片封装结构及封装方法

说明书

本发明公开了一种芯片晶圆、芯片封装结构及封装方法，所述封装方法包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括多个芯片基底，相邻所述芯片基底之间具有划片道；所述芯片基底具有相对的第一侧和第二侧；在所述第一侧的有源层上形成第一互联结构；形成第一塑封层，所述第一塑封层覆盖所述第一边缘区、所述第一互联结构以及所述有源层；形成第二互联结构，所述第二互联结构覆盖中间区域，露出第二边缘区；形成第二塑封层，所述第二塑封层覆盖所述第二互联结构、所述第二边缘区以及所述第一塑封层；基于所述划片道进行分割，形成多个单粒的芯片封装结构。应用本发明提供的技术方案，避免了切割导致的翘曲和隐裂问题，从而提升产品封装的可靠性。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，尤其是涉及一种芯片晶圆、芯片封装结构及封装方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展，各种各样的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。

电子设备实现各种功能的核心部件是控制芯片，为了保证芯片安全可靠运行以及避免其受到损伤，芯片需要封装保护形成封装结构。现有的芯片封装结构中，容易出现金属层翘曲和隐裂问题，导致封装结构的可靠性低。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种芯片晶圆、芯片封装结构及封装方法，避免了切割导致的金属层翘曲和隐裂问题，提升产品封装的可靠性。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种芯片封装方法，所述封装方法包括：

提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括多个芯片基底，相邻所述芯片基底之间具有划片道；所述芯片基底具有相对的第一侧和第二侧；所述第一侧具有功能区以及包围所述功能区的第一边缘区；所述第二侧包括中间区域和包围所述中间区域的第二边缘区；

在所述第一侧的有源层上形成第一互联结构；所述有源层覆盖所述功能区，露出所述第一边缘区；

形成第一塑封层，所述第一塑封层覆盖所述第一边缘区、所述第一互联结构以及所述有源层；在所述半导体晶圆具有所述有源层的一侧表面，所述划片道具有预设深度的沟槽；所述第一塑封层填充所述沟槽；

对所述半导体晶圆背离所述有源层的一侧进行减薄，露出所述沟槽底部的第一塑封层；

在减薄后的所述第二侧形成第二互联结构，所述第二互联结构覆盖所述中间区域，露出所述第二边缘区；

形成第二塑封层，所述第二塑封层覆盖所述第二互联结构、所述第二边缘区以及所述第二侧露出的所述第一塑封层；

基于所述划片道进行分割，形成多个单粒的芯片封装结构。

优选的，在上述的封装方法中，所述第一互联结构的形成方法包括：

形成覆盖所述有源层的第一金属层；

在所述第一金属层上形成锡球。

优选的，在上述的封装方法中，在形成所述第一塑封层之前，在所述划片道形成设定深度的所述沟槽；

其中，所述沟槽的深度小于所述半导体晶圆的厚度。

优选的，在上述的封装方法中，所述第二互联结构的形成方法包括：

在减薄后的所述第二侧形成图形化的种子层，所述种子层覆盖所述中间区域，露出所述第二边缘区和所述第一塑封层；

形成图形化的背面金属层，所述背面金属层覆盖所述种子层，露出所述第二边缘区和所述第一塑封层。

优选的，在上述的封装方法中，所述种子层和所述背面金属层的形成方法包括：