[发明专利]芯片晶圆、芯片封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：

提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括多个芯片基底，相邻所述芯片之间具有划片道；所述芯片基底具有相对的第一侧和第二侧；所述第一侧具有功能区以及包围所述功能区的第一边缘区；所述第二侧包括中间区域和包围所述中间区域的第二边缘区；

在所述第一侧的有源层上形成第一互联结构；所述有源层覆盖所述功能区，露出所述第一边缘区；

形成第一塑封层，所述第一塑封层覆盖所述第一边缘区、所述第一互联结构以及所述有源层；在所述半导体晶圆具有所述有源层的一侧表面，所述划片道具有预设深度的沟槽；所述第一塑封层填充所述沟槽；

对所述半导体晶圆背离所述有源层的一侧进行减薄，露出所述沟槽底部的第一塑封层；

在减薄后的所述第二侧形成第二互联结构，所述第二互联结构覆盖所述中间区域，露出所述第二边缘区；

在第二侧形成第二塑封层，所述第二塑封层覆盖所述第二互联结构、所述第二边缘区以及所述第二侧露出的所述第一塑封层；

基于所述划片道进行分割，形成多个单粒的芯片封装结构。

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一互联结构的形成方法包括：

形成覆盖所述有源层的第一金属层；

在所述第一金属层上形成锡球。

3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在形成所述第一塑封层之前，在所述划片道形成设定深度的所述沟槽；其中，所述沟槽的深度小于所述半导体晶圆的厚度。

4.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述第二互联结构的形成方法包括：

在减薄后的所述第二侧形成图形化的种子层，所述种子层覆盖所述中间区域，露出所述第二边缘区和所述第一塑封层；

形成图形化的背面金属层，所述背面金属层覆盖所述种子层，露出所述第二边缘区和所述第一塑封层。

5.根据权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述种子层和所述背面金属层的形成方法包括：

在减薄后的所述第二侧形成未图形化的种子层以及覆盖所述种子层的光刻胶层；

图形化所述光刻胶层，去除对应所述中间区域的光刻胶层，保留对应所述沟槽和所述第二边缘区的光刻胶层；

基于图形化后的所述光刻胶层，在所述种子层对应所述中间区域的表面形成图形化的背面金属层；

去除所述光刻胶层，基于图形化的所述背面金属层，去除对应所述沟槽以及所述第二边缘区的种子层。

6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在进行分割之前，还包括：

对所述第二塑封层背离所述半导体晶圆的一侧表面进行平坦化处理。

7.根据权利要求1-6任一项所述的封装方法，其特征在于，所述第一塑封层和所述第二塑封层为材料相同的树脂层。

8.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：

芯片基底，所述芯片基底具有相对的第一侧和第二侧；所述第一侧具有功能区以及包围所述功能区的第一边缘区；所述第二侧包括中间区域和包围所述中间区域的第二边缘区；

有源层，所述有源层覆盖所述功能区，露出所述第一边缘区；

第一互联结构，所述第一互联结构位于所述有源层的表面；

第一塑封层，所述第一塑封层覆盖所述第一边缘区、所述第一互联结构以及所述有源层；

第二互联结构，所述第二互联结构覆盖所述中间区域；

第二塑封层，所述第二塑封层覆盖所述第二边缘区和所述第二互联结构；

其中，所述第一塑封层还包围所述芯片基底的侧面。

9.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，位于所述芯片基底侧面的第一塑封层与所述第二侧齐平；

所述第二塑封层覆盖所述第一塑封层与所述第二侧齐平的表面，且覆盖所述第二互联结构的侧面。