[发明专利]半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法

说明书

本技术涉及一种半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法。半导体存储器设备包括：包括存储器单元的存储器块；外围电路，被配置为在测试操作期间在设定编程状态中对存储器单元进行编程，并且对在设定编程状态中被编程的存储器单元执行测试擦除电压施加操作；以及控制逻辑，被配置为控制外围电路对存储器单元之中的阈值电压小于设定阈值电压的异常存储器单元进行计数。

相关申请的交叉引用

本申请根据35U.S.C.§119(a)要求于2020年4月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2020-0047565的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及一种电子设备，更特别地涉及一种半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法。

背景技术

最近，计算机环境的范例已经变换为普适计算，这使得计算机系统能够在任何时间和任何地方使用。因此，诸如移动电话、数码相机和笔记本计算机等便携式电子设备的使用正在迅速增加。这种便携式电子设备通常使用存储器系统，该存储器系统使用半导体存储器设备，即，数据存储设备。数据存储设备被用作便携式电子设备的主存储设备或辅助存储设备。

使用存储器设备的半导体数据存储设备具有以下优点：因为没有机械驱动器，所以稳定性和耐久性极好，信息的访问速度非常快，并且功耗低。作为具有这种优点的存储器系统的示例，数据存储设备包括通用串行总线(USB)存储器设备、具有各种接口的存储器卡、固态驱动器(SSD)等。

存储器设备主要被分为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。

非易失性存储器设备的写入速度和读取速度相对慢，然而，非易失性存储器设备即使在电源被切断的情况下，也能维持存储数据。因此，非易失性存储器设备被用于存储无论电源如何都要维持的数据。非易失性存储器设备包括只读存储器(ROM)、掩模型ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。闪存被分为NOR型和NAND型。

发明内容

根据本公开的实施例的半导体存储器设备可以包括：包括存储器单元的存储器块；外围电路，被配置为在测试操作期间在设定编程状态中对存储器单元进行编程，并且对在设定编程状态中被编程的存储器单元执行测试擦除电压施加操作；以及控制逻辑，被配置为控制外围电路对在存储器单元之中的、阈值电压低于设定阈值电压的异常存储器单元进行计数。

根据本公开实施例的操作半导体存储器设备的方法可以包括：在设定编程状态中对存储器块进行编程；将测试擦除电压施加到在设定编程状态中被编程的存储器块达设定次数；对在存储器块中所包括的存储器单元之中的、阈值电压低于设定编程状态的最低阈值电压的存储器单元进行计数；以及当所计数的存储器单元的数目大于设定数目时，将存储器块确定为坏块。

根据本公开实施例的半导体存储器设备可以包括：存储器块，包括擦除状态的存储器单元；外围电路，被配置为在测试操作期间对擦除状态的存储器单元执行测试编程电压施加操作；以及控制逻辑，被配置为控制外围电路对在存储器单元之中的、阈值电压高于设定阈值电压的异常存储器单元进行计数。

根据本公开实施例的操作半导体存储器设备的方法可以包括：将测试编程电压施加到擦除状态的存储器块达设定次数；对在存储器块中所包括的存储器单元之中的、阈值电压高于擦除状态的最高阈值电压的存储器单元进行计数；以及当所计数的存储器单元的数目大于设定数目时，将存储器块确定为坏块。