[发明专利]一种选择性发射极制备方法、太阳能电池及其制备方法

说明书

本申请公开了选择性发射极制备方法，包括获得N型硅片，并在N型硅片的正面沉积掩膜层；在掩膜层与金属栅线对应的位置形成窗口；对具有窗口的N型硅片进行扩散处理，以在具有窗口的N型硅片对应窗口的位置形成重掺杂区；去除掩膜层；对去除掩膜层后的N型硅片进行扩散处理，以在去除掩膜层后的N型硅片的正面形成轻掺杂区，得到选择性发射极。本申请通过形成掩膜层和两次扩散处理在N型硅片表面形成选择性发射极，重掺杂区方阻低，金属‑半导体接触电阻小，轻掺杂区的方阻高，复合速率小，短波响应好，使得太阳能电池的效率提升，且整个制备过程不引入任何杂质，也不需要额外增加其他设备，便于生产。本申请还提供一种太阳能电池及其制备方法。

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种选择性发射极制备方法、太阳能电池及其制备方法。

背景技术

在能源与环境的双重危机下，太阳能作为一种绿色清洁、储量无限、使用免费的新能源成为研究的热点。N型太阳能电池是一种高效电池，目前N型太阳能电池的发射极通常采用均匀结，方阻为80Ω/sq～110Ω/sq，复合速率偏高，短波响差，并且金属-半导体接触电阻较高，使得太阳能电池效率较低。

因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

发明内容

本申请的目的是提供一种选择性发射极制备方法、太阳能电池及其制备方法，以降低选择性发射极的复合速率，提升太阳能电池的效率。

为解决上述技术问题，本申请提供一种选择性发射极制备方法，，包括：

获得N型硅片，并在所述N型硅片的正面沉积掩膜层；

在所述掩膜层与金属栅线对应的位置形成窗口；

对具有所述窗口的所述N型硅片进行扩散处理，以在具有所述窗口的所述N型硅片对应所述窗口的位置形成重掺杂区；

去除所述掩膜层；

对去除所述掩膜层后的所述N型硅片进行扩散处理，以在去除所述掩膜层后的所述N型硅片的正面形成轻掺杂区，得到选择性发射极。

可选的，所述对具有所述窗口的所述N型硅片进行扩散处理，以在具有所述窗口的所述N型硅片对应所述窗口的位置形成重掺杂区包括：

在具有所述窗口的所述N型硅片对应所述窗口的位置沉积掺杂源；

对所述掺杂源进行推进处理，形成所述重掺杂区。

可选的，所述对去除所述掩膜层后的所述N型硅片进行扩散处理，以在去除所述掩膜层后的所述N型硅片的正面形成轻掺杂区包括：

对去除所述掩膜层后的所述N型硅片进行氧化处理，得到氧化后硅片；

在所述氧化后硅片的正面沉积掺杂源，并对所述掺杂源进行推进处理，得到处理后硅片；

对所述处理后硅片进行氧化处理，形成所述轻掺杂区。

可选的，所述在所述掩膜层与金属栅线对应的位置形成窗口之后，还包括：

利用碱溶液对具有所述窗口的所述N型硅片进行预处理；

利用氢氟酸溶液对预处理后的所述N型硅片进行再处理；

相应的，所述对具有所述窗口的所述N型硅片进行扩散处理包括：

对再处理后的所述N型硅片进行扩散处理。

可选的，所述掩膜层为氮氧化硅层或者氮化硅层。

可选的，所述去除所述掩膜层包括：

利用氢氟酸溶液去除所述掩膜层。

可选的，所述获得N型硅片之前，还包括：