[发明专利]一种选择性发射极制备方法、太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种选择性发射极制备方法，其特征在于，包括：

获得N型硅片，并在所述N型硅片的正面沉积掩膜层；

在所述掩膜层与金属栅线对应的位置形成窗口；

对具有所述窗口的所述N型硅片进行扩散处理，以在具有所述窗口的所述N型硅片对应所述窗口的位置形成重掺杂区；

去除所述掩膜层；

对去除所述掩膜层后的所述N型硅片进行扩散处理，以在去除所述掩膜层后的所述N型硅片的正面形成轻掺杂区，得到选择性发射极。

2.如权利要求1所述的选择性发射极制备方法，其特征在于，所述对具有所述窗口的所述N型硅片进行扩散处理，以在具有所述窗口的所述N型硅片对应所述窗口的位置形成重掺杂区包括：

在具有所述窗口的所述N型硅片对应所述窗口的位置沉积掺杂源；

对所述掺杂源进行推进处理，形成所述重掺杂区。

3.如权利要求1所述的选择性发射极制备方法，其特征在于，所述对去除所述掩膜层后的所述N型硅片进行扩散处理，以在去除所述掩膜层后的所述N型硅片的正面形成轻掺杂区包括：

对去除所述掩膜层后的所述N型硅片进行氧化处理，得到氧化后硅片；

在所述氧化后硅片的正面沉积掺杂源，并对所述掺杂源进行推进处理，得到处理后硅片；

对所述处理后硅片进行氧化处理，形成所述轻掺杂区。

4.如权利要求1至3任一项所述的选择性发射极制备方法，其特征在于，所述在所述掩膜层与金属栅线对应的位置形成窗口之后，还包括：

利用碱溶液对具有所述窗口的所述N型硅片进行预处理；

利用氢氟酸溶液对预处理后的所述N型硅片进行再处理；

相应的，所述对具有所述窗口的所述N型硅片进行扩散处理包括：

对再处理后的所述N型硅片进行扩散处理。

5.如权利要求4所述的选择性发射极制备方法，其特征在于，所述掩膜层为氮氧化硅层或者氮化硅层。

6.如权利要求5所述的选择性发射极制备方法，其特征在于，所述去除所述掩膜层包括：

利用氢氟酸溶液去除所述掩膜层。

7.如权利要求6所述的选择性发射极制备方法，其特征在于，所述获得N型硅片之前，还包括：

对所述N型硅片进行制绒处理。

8.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：

通过如权利要求1至7任一项所述的选择性发射极制备方法在N型硅片上制备选择性发射极；

在所述N型硅片的背面依次形成隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、第一减反层；

在所述N型硅片的正面依次形成钝化层和第二减反射层；

在所述N型硅片的正面形成第一电极，背面形成第二电极。

9.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

具有选择性发射极的N型硅片，所述选择性发射极由如权利要求1至7任一项所述的选择性发射极制备方法制得；

在所述N型硅片的正面依次层叠的钝化层、第二减反射层、第一电极；

在所述N型硅片的背面依次层叠的隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、第一减反层、第二电极。

10.如权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一减反层和所述第二减反层为氮化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层复合膜层中的任一种。