[发明专利]基板处理系统和基板处理方法在审
申请号: | 202011054695.3 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN112652551A | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 金川耕三;鹤崎广太郎;隐塚惠二;甲斐义广 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 方法 | ||
本发明涉及基板处理系统和基板处理方法。提供能够使成批地处理的多片基板的间距变窄且能够抑制基板与输送机器人之间的干涉的技术。基板处理系统具有:批量处理部,其成批地处理以第1间距包含多片基板的批次;单片处理部,其逐片处理批次的基板;以及接口部,其在批量处理部和单片处理部之间交接基板,批量处理部包括:处理槽,其贮存块状或雾状的处理液;第1保持器具,其将基板以第1间距保持;以及第2保持器具,其在处理液中从第1保持器具接收以第1间距的N(N为2以上的自然数)倍、即第2间距排列的基板,接口部包括输送部,该输送部将在处理液中被分开保持在第1保持器具和第2保持器具的基板从批量处理部向单片处理部输送。
技术领域
本公开涉及基板处理系统和基板处理方法。
背景技术
专利文献1所记载的干燥装置具备缓冲槽、转运部以及旋转干燥部。缓冲槽在水中保持水洗处理了的半导体晶圆。半导体晶圆在多片放置于一个保持台的状态下被进行水洗处理,并在维持放置于保持台的状态下被保持在缓冲槽的水中。转运部将半导体晶圆从缓冲槽逐片地取出并进行转运。旋转干燥部将由转运部转运来的一片半导体晶圆支承为主表面成为水平,并高速旋转,从而将水去除。
专利文献1:日本特开平9-162157号公报
发明内容
本公开的一技术方案提供能够使成批地处理的多片基板的间距变窄且能够抑制基板与输送机器人之间的干涉的技术。
本公开的一技术方案的基板处理系统具有:
批量处理部,其成批地处理以第1间距包含多片基板的批次;
单片处理部,其逐片处理所述批次的所述基板;以及
接口部,其在所述批量处理部和所述单片处理部之间交接所述基板,
所述批量处理部包括:处理槽,其贮存块状或雾状的处理液;第1保持器具,其将所述基板以所述第1间距保持;以及第2保持器具,其在所述处理液中从所述第1保持器具接收以所述第1间距的N(N为2以上的自然数)倍、即第2间距排列的所述基板,
所述接口部包括输送部,该输送部将在所述处理液中被分开保持在所述第1保持器具和所述第2保持器具的所述基板从所述批量处理部向所述单片处理部输送。
根据本公开的一技术方案,能够使成批地处理的多片基板的间距变窄且能够抑制基板与输送机器人之间的干涉。
附图说明
图1是表示一实施方式的基板处理系统的俯视图。
图2是表示一实施方式的基板处理方法的流程图。
图3是表示图1的批次形成部的一例的俯视图。
图4A是表示图3的批次形成部的动作的一例的侧视图。
图4B是表示批次形成部继图4A之后的动作的一例的侧视图。
图4C是表示批次形成部继图4B之后的动作的一例的侧视图。
图5是表示图1的批次解除部的一例的俯视图。
图6A是表示图5的批次解除部的动作的一例的剖视图。
图6B是表示批次解除部继图6A之后的动作的一例的剖视图。
图6C是表示批次解除部继图6B之后的动作的一例的剖视图。
图7是表示图1的接口部的输送部的一例的侧视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011054695.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造