[发明专利]MEMS麦克风芯片、芯片模组的制作方法和电子设备在审

专利信息
申请号: 202011046869.1 申请日: 2020-09-29
公开(公告)号: CN112188374A 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 周宗燐;邱冠勋;卓彥萱 申请(专利权)人: 歌尔微电子有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;H04R31/00
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 谢阅
地址: 266100 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: mems 麦克风 芯片 模组 制作方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种MEMS麦克风芯片,其特征在于,包括:

基底,所述基底设有缺口;

背极和振膜,所述振膜与所述背极设于所述基底的同一侧,所述背极朝向所述振膜的一侧设有绝缘区,所述振膜与至少部分所述背极间隔设置并形成振动间隙,所述振膜设有朝向所述背极折弯的凸起部,所述凸起部位于所述振动间隙内,并可活动地抵接于所述绝缘区,以限制所述振膜的振幅。

2.如权利要求1所述的MEMS麦克风芯片,其特征在于,所述振膜包括中心振动部和环绕所述中心振动部的外连接部,所述外连接部与所述中心振动部连接,所述外连接部用于固定所述振膜,所述中心振动部与至少部分所述背极间隔设置,并形成振动间隙。

3.如权利要求1所述的MEMS麦克风芯片,其特征在于,所述缺口具有腔口,所述凸起部投影于所述基底形成投影区,所述投影区的外轮廓位于所述缺口的腔口轮廓之外;

且/或,所述凸起部的数量为多个,多个所述凸起部均匀分布于所述振膜。

4.如权利要求3所述的MEMS麦克风芯片,其特征在于,所述振膜位于所述背极和所述基底之间,所述振膜的一侧与所述基底连接,另一侧与所述背极连接。

5.如权利要求4所述的MEMS麦克风芯片,其特征在于,所述MEMS麦克风芯片还包括第一支撑层,所述第一支撑层设有贯穿孔,所述第一支撑层设于所述基底的表面,所述贯穿孔对应所述缺口的腔口设置,且所述贯穿孔的外轮廓在所述缺口的腔口轮廓之外,所述外连接部连接于所述第一支撑层背离所述基底的一侧。

6.如权利要求5所述的MEMS麦克风芯片,其特征在于,所述凸起部和所述外连接部之间还设有限位凸起,所述限位凸起位于所述振膜背离所述背极的一侧;

且/或,所述外连接部还设有定位凸起,所述定位凸起位于所述振膜背离所述背极的一侧,并与所述第一支撑层连接。

7.如权利要求4至6中任一项所述的MEMS麦克风芯片,其特征在于,所述背极包括:

感应部,所述感应部正对所述振膜设置,并与所述振膜之间形成振动间隙,所述感应部设有多个连通振动间隙的通孔;

折弯连接部,所述折弯连接部的一侧与所述感应部电性连接,并抵接所述振膜设置;和

固定部,所述固定部与所述折弯连接部的另一侧电性连接,并用于固定所述感应部和折弯连接部。

8.如权利要求7所述的MEMS麦克风芯片,其特征在于,所述固定部和所述振膜之间还设有第二支撑层;

且/或,所述固定部背离所述振膜的表面还设有电连接点,所述背极具有绝缘材料层和设于所述绝缘材料层内的导电材料层,所述电连接点用于将背极的导电材料层连接外部电路,所述绝缘材料层朝向所述振膜的表面设置为绝缘区;

且/或,所述振膜还设有贯穿孔,所述贯穿孔贯穿所述振膜相对的两侧。

9.如权利要求1所述的MEMS麦克风芯片,其特征在于,所述背极位于所述振膜和所述基底之间,所述背极的一侧与所述基底连接,另一侧与所述振膜连接;

或者,所述振膜的数量为至少两个,所述背极设于两所述振膜之间,一所述振膜的一侧与所述基底连接,另一侧与所述背极连接,另一所述振膜与背极可振动连接。

10.一种芯片模组的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

在基底的表面形成具有凸起的第一支撑层;

在具有凸起的第一支撑层上沉积振膜材料层,形成具有凸起的振膜材料层;

在具有凸起的振膜材料层上制作具有绝缘区的背极,其中,该绝缘区朝向振膜材料层设置;

刻蚀所述基底和所述第一支撑层,形成具有折弯的凸起部的振膜。

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