[发明专利]一种微型器件转移头及其制造方法在审
| 申请号: | 202011046499.1 | 申请日: | 2020-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN112271157A | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
| 发明(设计)人: | 张有为;周宇;朱充沛;高威 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 210033 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 微型 器件 转移 及其 制造 方法 | ||
1.一种微型器件转移头,其特征在于,包括衬底基板、位于衬底基板上的粘附层、位于粘附层上方的热缩性材料层以及位于热缩性材料层内且阵列排布的多个第一凹槽和多个第二凹槽,其中,第一凹槽和第二凹槽相邻且间隔分布,第二凹槽的高度和宽度大于第一凹槽的高度和宽度,第一凹槽和第二凹槽的宽度均大于微型器件的宽度、高度均小于微型器件的高度。
2.根据权利要求1所述的微型器件转移头,其特征在于,所述第一凹槽用于转移时收缩包裹微型器件,所述第二凹槽作为相邻两个第一凹槽之间的间隔凹槽。
3.根据权利要求1所述的微型器件转移头,其特征在于,所述第二凹槽用于转移时收缩包裹微型器件,所述第一凹槽作为相邻两个第二凹槽之间的间隔凹槽。
4.根据权利要求1所述的微型器件转移头,其特征在于,所述热缩性材料层的制作材料为聚乙烯或聚烯氢。
5.一种微型器件转移头的制造方法,用于制造权利要求1-4任一所述的微型器件转移头,其特征在于,包括以下步骤:
S01:在玻璃基板上涂布一层第一光阻,进行第一次图案化形成阵列分布的多个第一凸台;
S02:在玻璃基板上涂布一层第二光阻,进行第二次图案化形成与第一凸台间隔设置的多个第二凸台,其中,第二凸台的高度和宽度大于第一凸台的高度和宽度;
S03:在玻璃基板上涂布一层覆盖第一凸台和第二凸台的热缩性材料,并将热缩性材料与衬底基板的粘附层对位贴合;
S04:分离热缩性材料和玻璃基板,热缩性材料形成包括第一凹槽和与第一凹槽间隔设置的第二凹槽的热缩性材料层。
6.根据权利要求5所述的微型器件转移头的制造方法,其特征在于,所述热缩性材料为聚乙烯或聚烯氢。
7.一种微型器件的转移方法,使用权利要求2所述的微型器件转移头,其特征在于,转移方法包括以下步骤:
S1:微型器件转移头的第一凹槽与暂态基板上的微型器件对位接触;
S2:加热热缩性材料层,第一凹槽收缩包裹微型器件;
S3:微型器件转移头转移微型器件至显示背板的键合层上方进行加热键合,冷却后移走微型器件转移头。
8.一种微型器件的转移方法,使用权利要求3所述的微型器件转移头,其特征在于,转移方法包括以下步骤:
S1:微型器件转移头的第二凹槽与暂态基板上的微型器件对位接触;
S2:加热热缩性材料层,第二凹槽收缩包裹微型器件;
S3:微型器件转移头转移微型器件至显示背板的键合层上方进行加热键合,冷却后移走微型器件转移头。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





