[发明专利]聚酰亚胺前驱物的制作方法及聚酰亚胺有效
申请号: | 202011030363.1 | 申请日: | 2020-09-27 |
公开(公告)号: | CN112979948B | 公开(公告)日: | 2023-10-10 |
发明(设计)人: | 丘建华;杨焙凯;吴俊明 | 申请(专利权)人: | 新扬科技股份有限公司 |
主分类号: | C08G73/10 | 分类号: | C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾高*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚酰亚胺 前驱 制作方法 | ||
本发明有关于一种聚酰亚胺前驱物的制作方法及聚酰亚胺。此制作方法是藉由第一反应、第二反应与第三反应制得聚酰亚胺前驱物,其中聚酰亚胺前驱物是由第一聚酰胺酸、第二聚酰胺酸与第三聚酰胺酸所组成。藉由特定之四羧酸二酐单体及/或二胺单体,所制得之聚酰亚胺前驱物具有较低之介电常数与介电损耗因子,而可降低材料之插入损耗,并提升传输速率。
技术领域
本发明是有关一种聚酰亚胺前驱物,特别是提供一种具有低介电常数与介电损耗因子的聚酰亚胺前驱物的制作方法及所制得的聚酰亚胺。
背景技术
随着科技产业的发展,高频传输已为无线通讯产品的主要传输手段,故具有快速传输速率的高频基板是目前的发展重点。其中,为满足高频传输的要求,基板的信号损失须有效地被降低。
一般而言,基板中的信号损失是指信号的插入损耗(insertion loss),而插入损耗是反射损耗、材料损耗与辐射损耗的总和。其中,材料损耗包含介质损耗与导体损耗。介质损耗是由绝缘层所控制,而导体损耗是相关于导电层的导电性与表面粗糙度。其次,介质损耗是由下式(I)计算而得,且由式(I)可知,降低材料的介电常数与介电损耗因子可有效减少其介质损耗,而有助于高频传输。
于式(I)中,Dk代表介电常数,Df代表介电损耗因子,且f代表频率。
于现有的电荷传输基板中,聚酰亚胺覆铜积层板因具有轻薄与可挠曲性,故其广泛应用于电子产品。然而,习知聚酰亚胺膜具有较高的介电常数与介电损耗因子,故无法满足高频传输的应用需求。
有鉴于此,亟须提供一种聚酰亚胺前驱物的制作方法及聚酰亚胺,以改进习知聚酰亚胺具有过高的介电常数与介电损耗因子的缺陷。
发明内容
因此,本发明的一态样是在提供一种聚酰亚胺前驱物的制作方法,此制作方法是选用特定的四羧酸二酐单体与二胺单体来进行分段反应,而可制得规则排列的嵌段共聚合单体,进而降低电荷的传递阻力,故可满足高频传输的要求。
本发明的另一态样是提供一种聚酰亚胺,其是藉由加热聚酰亚胺前驱物所制得,且此聚酰亚胺前驱物是利用前述的制作方法所制得。
根据本发明的一态样,提出一种聚酰亚胺前驱物的制作方法。此制作方法是先对第一四羧酸二酐单体与第一二胺单体进行第一反应,以形成第一聚酰胺酸。然后,对第一聚酰胺酸、第二四羧酸二酐单体与第二二胺单体进行第二反应,以形成嵌段聚酰胺酸。此嵌段聚酰胺酸是由第一聚酰胺酸与第二聚酰胺酸所组成,其中此第二聚酰胺酸是由第二四羧酸二酐单体与第二二胺单体所形成。接着,对嵌段聚酰胺酸、第三四羧酸二酐单体与第三二胺单体进行第三反应,以形成聚酰亚胺前驱物。聚酰亚胺前驱物是由嵌段聚酰胺酸与第三聚酰胺酸所组成,其中第三聚酰胺酸是由第三四羧酸二酐单体与第三二胺单体所形成。第一四羧酸二酐单体或第二四羧酸二酐单体的一者可为主链具有醚基的四羧酸二酐单体,且第三二胺单体可为主链具有醚基的二胺单体或侧链具有烷基的二胺单体。
依据本发明的一实施例,基于前述聚酰亚胺前驱物的含量为100摩尔百分比,第三聚酰胺酸的含量为10摩尔百分比至30摩尔百分比。
依据本发明的另一实施例,基于聚酰亚胺前驱物的含量为100摩尔百分比,前述第一四羧酸二酐单体或第二四羧酸二酐单体的此者所形成的第一聚酰胺酸或第二聚酰胺酸的含量为10摩尔百分比至60摩尔百分比。
依据本发明的又一实施例,基于聚酰亚胺前驱物的含量为100摩尔百分比,前述第一四羧酸二酐单体或第二四羧酸二酐单体的另一者所形成的第一聚酰胺酸或第二聚酰胺酸的含量为20摩尔百分比至75摩尔百分比。
依据本发明的再一实施例,前述的第一二胺单体与第二二胺单体不为主链具有醚基的二胺单体或侧链具有烷基的二胺单体。
依据本发明的又另一实施例,前述的第三四羧酸二酐单体不为主链具有醚基的四羧酸二酐单体。
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