[发明专利]闪存器件的掩膜版及制造方法

说明书

本发明提供一种闪存器件的掩膜版及制造方法，所述闪存器件的掩膜版包括有源区掩膜版和浮栅掩膜版，所述有源区掩膜版包括：存储掩膜版区和外围掩膜版区，所述存储掩膜版区和所述外围掩膜版区的交界处设有一第一有源区图形，在闪存器件的制造方法中，通过所述有源区掩膜版，可以在所述存储区和所述外围区的交界处定义第一有源区，在刻蚀外围区的介质层、控制栅层、浮栅层和浮栅氧化层时，由于所述存储区和所述外围区的交界处定义有第一有源区，在刻蚀过程中，若产生过刻蚀，过刻蚀的刻蚀对象为第一有源区的半导体衬底，相比现有技术，可以提高刻蚀的选择比，由此避免产生缺陷，进而提高闪存器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种闪存器件的掩膜版及制造方法。

背景技术

目前，闪存器件(Flash memory)，又称为闪存，已经成为非挥发性存储器的主流，其存储单元是在传统的MOS晶体管结构基础上，增加了一个浮栅(Floating Gate，FG)和一层隧穿氧化层(Tunnel Oxide)，目前的闪存器件还通过浅沟槽隔离技术(STI，ShallowTrench Isolation)制备隔离区域。

如图1所示，其为利用现有技术的闪存器件的制造方法形成的结构示意图。现有技术中典型的闪存器件的制造方法一般包括：第一步骤，提供半导体衬底10，在所述半导体衬底10上依次形成浮栅氧化层20和浮栅层30，并刻蚀所述浮栅层30、浮栅氧化层20和所述半导体衬底10，以形成浅沟槽，并且在所述浅沟槽中填充绝缘介质材料(即STI HDPDE工艺)，以形成浅沟道隔离结构(STI)40，所述浅沟槽隔离结构可以定义存储区I和外围区II的有源区；然后，执行第二步骤，在所述浮栅层30上形成控制栅层(未图示)，并在所述控制栅层上形成介质层50，接着，刻蚀存储区I的所述介质层50、所述控制栅层、所述浮栅层30和所述浮栅氧化层20，以形成开口，并在所述开口中沉积材料层60；接着，如图2所示，执行第三步骤，刻蚀所述外围区II的介质层50、控制栅层、浮栅层30和浮栅氧化层20。但在该步骤中，通常会造成过刻蚀，所述过刻蚀使得所述外围区与所述存储区的交界处形成有较深的凹槽，在后续的工艺中，所述凹槽较容易形成缺陷，例如，工艺层剥落至所述凹槽中，从而会降低闪存器件的性能。因此，提供一种改进的闪存器件的制造方法是本领域技术人员需要解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存器件的掩膜版及制造方法，以解决外围区与所述存储区的交界处的凹槽造成的缺陷问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种闪存器件的掩膜版，所述闪存器件的掩膜版包括：

有源区掩膜版，所述有源区掩膜版包括存储掩膜版区和外围掩膜版区，所述存储掩膜版区与所述外围掩膜版区的交界处形成有一第一有源区图形；

浮栅掩膜版，所述浮栅掩膜版包括多个浮栅图形，所述多个浮栅图形沿第一方向平行排列并沿第二方向横跨所述第一有源区图形。

可选的，在所述的闪存器件的掩膜版中，所述存储掩膜版区和所述外围掩膜版区中均形成有多个第二有源区图形，所述存储掩膜版区和所述外围掩膜版区中的所述多个第二有源区图形沿所述第二方向平行排列；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。

可选的，在所述的闪存器件的掩膜版中，所述多个浮栅图形沿所述第二方向横跨所述多个第二有源区图形。

可选的，在所述的闪存器件的掩膜版中，所述浮栅图形包括一个曲线图形和两个分别连接在所述曲线图形两端的直条状图形，所述曲线图形包括两个凹向相反且连为一体的弯曲部，所述弯曲部具有一凹口。

可选的，在所述的闪存器件的掩膜版中，所述闪存器件的掩膜版还包括字线接触孔掩膜版，所述字线接触孔掩膜版包括多个接触孔图形，多个所述接触孔图形分别对应多个所述弯曲部的凹口。

基于同一发明构思，本发明还提供一种闪存器件的制造方法，采用本发明所述的闪存器件的掩膜版，包括：