[发明专利]一种高灵敏度MEMS流量传感器芯片有效
| 申请号： | 202010979042.X | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112146717B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 胡国庆 | 申请（专利权）人： | 青岛芯笙微纳电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01F1/684 | 分类号： | G01F1/684;G01F1/688 |
| 代理公司： | 青岛华慧泽专利代理事务所(普通合伙) 37247 | 代理人： | 刘娜 |
| 地址： | 266100 山东省青岛市崂山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 mems 流量传感器 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种高灵敏度MEMS流量传感器芯片，包括设置于微加热器底部的底层介质薄膜、设置于底层介质薄膜下方的硅衬底，以及设置于底层介质薄膜上方、微加热器两侧的热电堆，其特征在于，所述热电堆包括上下堆叠串联的多对热电偶，每对热电偶包括上下放置的P型硅和N型硅，以及用于连接P型硅和N型硅的金属热结，所述金属热结位于P型硅和N型硅上靠近微加热器的一端；每对热电偶的P型硅和N型硅之间，以及相邻的热电偶之间均设置用于电隔离的中间介质薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种高灵敏度MEMS流量传感器芯片，其特征在于，所述底层介质薄膜上位于微加热器与热电堆之间开设用于正面刻蚀的释放孔，所述硅衬底为一体结构，上部开设刻蚀槽。
3.根据权利要求1所述的一种高灵敏度MEMS流量传感器芯片，其特征在于，所述硅衬底为左右分体结构，左右两侧的硅衬底之间为刻蚀槽。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种高灵敏度MEMS流量传感器芯片，其特征在于，所述金属热结材料为铝。
5.根据权利要求1-3任一项所述的一种高灵敏度MEMS流量传感器芯片，其特征在于，所述底层介质薄膜和中间介质薄膜为二氧化硅或氮化硅材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛芯笙微纳电子科技有限公司，未经青岛芯笙微纳电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010979042.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
