专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]MEMS热损失型流量传感器及其制备方法-CN202310751707.5在审
  • 李维平;兰之康;管武干;侯鸿道 - 南京高华科技股份有限公司
  • 2023-06-25 - 2023-10-20 - G01F1/684
  • 本公开的实施例公开了一种MEMS热损失型流量传感器及其制备方法。包括:第一衬底和第二衬底,所述第二衬底的第一表面设置有变横截面面积的凹槽,所述第二衬底的第一表面与所述第一衬底的第一表面键合形成变横截面面积的流道;绝缘层,设置在所述第一衬底的第一表面;第一引线、第二引线以及并排间隔设置的多个热源电阻,均设置在所述绝缘层朝向所述第二衬底的一侧,所述第一引线与所述热源电阻的输入端电连接,所述第二引线与所述热源电阻的输出端电连接;磁性薄膜,设置在所述第二衬底的凹槽中,且与所述热源电阻相对应。本公开实施例的MEMS热损失型流量传感器,能有效抑制温漂现象,有效增大流量传感器的灵敏度。
  • mems损失流量传感器及其制备方法
  • [发明专利]一种基于SOI衬底的MEMS气体流量芯片制备方法-CN202310909750.X有效
  • 杨绍松;刘同庆 - 无锡芯感智半导体有限公司
  • 2023-07-24 - 2023-10-20 - G01F1/684
  • 本发明涉及一种基于SOI衬底的MEMS气体流量芯片制备方法。本发明包括提供硅衬底;沉积一层多晶硅层,形成P型多晶硅半导体层;对P型多晶硅半导体层通过光刻图形化,形成上游热电堆下层热电偶、下游热电堆下层热电偶和中心热源,并暴露出第二氧化硅支撑层;制作一层第一绝缘层进行电绝缘隔离;对第一绝缘层进行光刻并形成冷热端连接通孔;在第一绝缘层表面沉积一层导电层,形成上游热电堆下层热电偶导线结构、下游热电堆下层热电偶导线结构和中心热源导线结构;在硅衬底的两端制作微流道通道集成凹槽,得到MEMS气体流量芯片本体;将SOI衬底与MEMS气体流量芯片本体进行倒装集成。本发明微流量检测的灵敏度高、测量范围广以及抗干扰能力强。
  • 一种基于soi衬底mems气体流量芯片制备方法
  • [发明专利]一种液态金属热式流量计及基于其的测量方法-CN202310872270.0在审
  • 孙振超;张秀杰;赵耀;王磊;吕欣婷;李鹏远 - 核工业西南物理研究院
  • 2023-07-17 - 2023-10-03 - G01F1/684
  • 本发明公开了一种液态金属热式流量计及基于其的测量方法,包括加热组件和测温组件,加热组件设置在待测管道的上游,测温组件设置在待测管道的下游,测温组件具有第一测温点和第二测温点,第一测温点位于第二测温点的上游,第一测温点和第二测温点之间设置有距离L,第一测温点和第二测温点之间的连线与待测管道的中轴线平行;本发明通过第一测温点和第二测温点测量温度变化,然后通过计算获取待测管道内的液态金属流量;本发明为直接式流量计,无需经过信号转换即可计算流量,提升测量结果的准确性;同时利用热信号监测液态金属的流速,可对低速层流状态下的液态金属进行准确测量,且测量过程无压力损失,对流速几乎不产生影响。
  • 一种液态金属流量计基于测量方法
  • [发明专利]一种自清洁型热式流量计-CN202310747732.6在审
  • 刘秀柏;王洋 - 安徽安分光电科技有限公司
  • 2023-06-25 - 2023-09-15 - G01F1/684
  • 本申请涉及一种自清洁型热式流量计,属于流量计领域,包括横向设置的管道,所述管道上壁竖向滑动贯穿有固定杆,所述固定杆上端横向固定安装有显示装置,所述固定杆固定安装有设置在管道内的温度传感器,所述固定杆上端横向固定安装有电机,所述电机的输出轴固定安装有与电机输出轴垂直的清理软刷,所述清理软刷与显示装置外侧壁滑动配合,所述管道上壁固定安装有安装块,所述安装块中部对称开设有两条凹槽,所述固定杆外侧壁横向固定安装有与凹槽内侧壁滑动配合的固定片,通过设置挤压片,可对固定片限位固定,使得显示装置及固定杆等组件的安装拆卸更加快捷便利。
  • 一种清洁型热式流量计
  • [发明专利]一种倒装封的微流道MEMS气体流量芯片-CN202310909912.X在审
  • 杨绍松;刘同庆 - 无锡芯感智半导体有限公司
  • 2023-07-24 - 2023-09-12 - G01F1/684
  • 本发明涉及一种倒装封的微流道MEMS气体流量芯片。本发明包括SOI衬底,设置有背腔;MEMS气体流量芯片本体,与SOI衬底相倒装集成,并与SOI衬底的背腔之间形成气体微流道通道结构;其中,MEMS气体流量芯片本体包括:硅衬底;热电堆,设置于硅衬底上,热电堆包括上游热电堆下层热电偶、下游热电堆下层热电偶以及中心热源;第一绝缘层,覆盖于热电堆且包括多个冷热端连接通孔;导线结构,包括分别通过冷热端连接通孔与上游热电堆下层热电偶、下游热电堆下层热电偶和中心热源相接触的上游热电堆下层热电偶导线结构、下游热电堆下层热电偶导线结构和中心热源导线结构。本发明改善了封装机械应力及大流量冲击对芯片的精度影响,提高了系统稳定性。
  • 一种倒装微流道mems气体流量芯片
  • [发明专利]感测热式气体流量传感器MEMS芯片端及线性补偿电路-CN202310633104.5在审
  • 刘国鑫;陈涛;印青;张光华 - 苏州锐光科技有限公司
  • 2023-05-30 - 2023-09-05 - G01F1/684
  • 本发明涉及一种感测热式气体流量传感器MEMS芯片端,加热丝位于隔热桥的中心对称位置;在隔热桥底部有绝热腔体,绝热腔体沿加热丝排布方向垂直方向两端与隔热桥相连;绝热腔体外部为衬底;第一与第二温度敏感电阻式传感器串联构成半臂惠斯通电桥且分别位于加热丝两端等距位置且位于隔热桥上,第一和第二BJT双极型晶体管组合分别位于绝热腔体沿中心加热丝排布方向两侧的衬底上;且与电热丝距离相等,它们分别包括第一BJT晶体管和第二BJT晶体管和分别包括第三BJT晶体管和第四BJT晶体管。本公开利用数学原理中将具有恒定曲率特性的二次曲线转换为具有曲率过0点特性的三次曲线来完成补偿。在量程范围内此曲线近似于直线。
  • 感测热式气体流量传感器mems芯片线性补偿电路
  • [实用新型]一种热式流量计-CN202320440063.3有效
  • 张锋;张语轩 - 山东立轩测控设备有限公司
  • 2023-03-03 - 2023-08-25 - G01F1/684
  • 本实用新型提供一种热式流量计,涉及热式流量计技术领域,包括设置在管道内的流量计,流量计的测量轴插设在管道内,测量轴一端的传感器设置在管道内部,管道上连通设有安装管,测量轴的外侧与安装管可拆卸密封装配连接,安装管内设有保温机构,测量轴的外侧设有固定环,固定环的下方与管道外表面安装适配,固定环的外侧对称设有固定块,测量轴的外侧穿设有顶板,固定块上穿设有长螺栓,长螺栓的上端从管道内部贯穿顶板和管道侧壁并延伸在外。本实用新型通过长螺栓和顶板的配合,保证了测量轴在管道内安装的稳定性,配合保温机构和密封机构,保证测量轴与管道安装位置处的密封性和保温效果,降低温度的流失。
  • 一种流量计
  • [发明专利]用于传感器装置的适配器装置、适配器组件、适配器系统、具有适配器装置和传感器装置的测量装置、以及方法-CN202280006400.6在审
  • R·霍夫曼 - 鲍施和施特勒贝尔股份两合公司
  • 2022-02-25 - 2023-08-18 - G01F1/684
  • 本发明涉及一种适配器装置,该适配器装置用于将具有第一传感器部件(20)和第二传感器部件(21)的传感器装置(14)安装在医药的流体管路(16)、尤其是医药的软管管路(18)处,其具有延伸方向(31),适配器装置(12;70,71;76;93;118;124;131;138;142;151)包括:第一适配器部件(28)和第二适配器部件(29),其中第一适配器部件(28)包括或形成用于第一传感器部件(20)的第一传感器接纳部(40),并且第二适配器部件(29)包括或形成用于第二传感器部件(21)的第二传感器接纳部(40),其中适配器部件(28、29)能够直接地或间接地彼此连接;以及流体管路接纳部(49),流体管路接纳部布置在所述适配器部件(28、29)之间或由适配器部件(28、29)形成并且被构成用于接纳流体管路(16),其中第一传感器接纳部(40)布置在第一适配器部件(28)的背离流体管路接纳部(49)的一侧(35),并且第二传感器接纳部(40)布置在第二适配器部件(29)的背离流体管路接纳部(49)的一侧(36),其中在第一传感器接纳部(40)和第二传感器接纳部(40)处形成相应的贯穿开口(46),并且其中第一传感器部件(20)和第二传感器部件(21)以相应的接触元件(23)接合到相应的贯穿开口(46)中或接合穿过该贯穿开口,以面状地直接贴靠在流体管路(16)处。本发明还涉及一种方法、适配器组件、适配器系统和测量装置。
  • 用于传感器装置适配器组件系统具有测量以及方法
  • [发明专利]物理量检测装置-CN202180083997.X在审
  • 荒木优志;上之段晓;五来信章 - 日立安斯泰莫株式会社
  • 2021-09-07 - 2023-08-11 - G01F1/684
  • 本公开提供一种物理量检测装置,其能够降低由涡轮增压器产生的声波的影响,并能抑制包括气体流量的物理量的检测精度降低。物理量检测装置(100)用于检测从搭载有涡轮增压器的发动机的进气通路吸入的空气的物理量。物理量检测装置(100)包括:副通路(130),其吸入沿着平行于进气通路的中心线的第一方向(D1)从进气通路的上游侧流向下游侧的空气的一部分;以及流量检测部,其检测被吸入该副通路(130)的空气的流量。副通路(130)具有:朝向第一方向(D1)的上游侧开口的入口(114);朝向第一方向(D1)的下游侧开口的出口(116);以及用于使从涡轮增压器传播到出口(116)的内侧的声波衰减的衰减室(134)。
  • 物理量检测装置
  • [发明专利]一种MEMS热温差式流量传感器及其制备方法-CN202310609113.0在审
  • 周钦;姜保 - 上海大学
  • 2023-05-26 - 2023-08-08 - G01F1/684
  • 本发明公开了一种MEMS热温差式流量传感器及其制备方法,主要涉及微流量传感器制备技术领域;包括硅衬底,所述硅衬底的顶部设有光刻胶流道,所述硅衬底的底部设有热敏电阻与金属互联部,所述硅衬底底面的两端均设有与光刻胶流道连通的进出孔,所述硅衬底的中部设有空腔,所述空腔内填充有硼硅酸盐玻璃,所述硼硅酸盐玻璃内设有若干个未刻蚀硅,且所述未刻蚀硅的顶端裸露在光刻胶流道内,底端与热敏电阻与金属互联部连接;本发明避免了所测流体与传感、加热元件的直接接触,增加了传感器的适用范围与使用寿命,且芯片使用稳定性高。
  • 一种mems温差流量传感器及其制备方法
  • [发明专利]一种具有高灵敏度的气体流量传感器芯片及其制造方法-CN202310593119.3在审
  • 方欢;黄平 - 苏州司南传感科技有限公司
  • 2023-05-24 - 2023-07-25 - G01F1/684
  • 本发明涉及一种具有高灵敏度的气体流量传感器芯片及其制造方法,该气体流量传感器芯片包含从下往上依次设置的衬底、支撑膜、金属膜、保护膜;所述衬底的上表面设置有空腔,其沿着流体方向形成流动通道;所述支撑膜为图形化,图形化开口处于空腔区域上方,使得空腔与外界连通;所述金属膜为图形化,包含至少一个加热图形、至少两个测温图形和至少一个校准图形;所述保护膜位于最上方,用于保护金属膜不与流体直接接触;本发明将空腔设计为沿流体方向的完整流动通道,使加热电阻及测温电阻横跨整个空腔,传感器悬空膜的上下方均与流体接触,大大提高了流体与传感器加热电阻及测温电阻的换热量,使得在较小流速时传感器也能获得较大的输出信号。
  • 一种具有灵敏度气体流量传感器芯片及其制造方法

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