[发明专利]一种钙钛矿光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010974472.2 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112349840A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 张泽雨林;朱卫东;陈大正;游海龙;张进成 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿光电探测器，其特征在于，自下而上依次包括：衬底(1)、TCO层(2)、半导体层(3)、钙钛矿层(4)以及电极(5)，其中，所述半导体层(3)为超宽禁带半导体。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述TCO层(2)的材料为ITO、FTO或者AZO。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述半导体层(3)的材料为氧化镓或者氮化铝，其厚度为5-30nm。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述钙钛矿层(4)为有机无机杂化钙钛矿或者全无机钙钛矿。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述电极(5)为金属电极、透明导电氧化物电极或者碳电极。
6.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述TCO层(2)和所述半导体层(3)之间还包括电子传输层(6)。
7.根据权利要求1所述的钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述钙钛矿层(4)和所述电极(5)之间还包括空穴传输层(7)。
8.一种钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：
选取一定衬底，并采用原子层沉积或磁控溅射工艺在所述衬底上生长TCO层；
采用化学气相沉积、原子层沉积、分子束外延或磁控溅射工艺在腔室中生长超宽禁带半导体材料，以在所述TCO层上形成超宽禁带半导体层；
采用旋涂工艺或蒸镀工艺，在所述超宽禁带半导体层上沉积钙钛矿层；
采用掩膜法，通过蒸镀、ALD或刮涂工艺在样品顶部生长电极，以完成器件的制备。
9.根据权利要求8所述的钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，在生长超宽禁带半导体材料之前，还包括：
采用旋涂或ALD方法在所述TCO层上生长电子传输层。
10.根据权利要求8所述的钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，在生长电极之前，还包括：
在所述钙钛矿层上生长空穴传输层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择
