[发明专利]量子阱层制备方法、LED外延层及LED芯片

权利要求书

1.一种量子阱层制备方法，其特征在于，包括依次执行第一阶段生长流程与第二阶段生长流程；

所述第一阶段生长流程包括：循环交替生长第一势垒层与第一势阱层，循环交替的次数为n；

所述第二阶段生长流程包括：循环交替生长第二势垒层、压应力缓解中间层与第二势阱层，循环交替的次数为m；所述n与所述m均为大于1的整数。

2.如权利要求1所述的量子阱层制备方法，其特征在于，势垒层的材质包括氮化镓GaN，势阱层的材质包括铟镓氮InGaN，所述压应力缓解中间层的材质包括铝镓氮AlGaN。

3.如权利要求2所述的量子阱层制备方法，其特征在于，生长所述第一势垒层包括：

在第一温度下生长第一GaN层；

在第二温度下生长第二GaN层；

在第三温度下生长第三GaN层；所述第二温度高于所述第一温度与所述第三温度，且所述第二温度高于所述第二势垒层的生长温度。

4.如权利要求1-3任一项所述的量子阱层制备方法，其特征在于，所述第二阶段生长流程包括：循环交替生长第一温度过渡层、第二势垒层、压应力缓解中间层、第二温度过渡层与第二势阱层。

5.一种LED外延层，其特征在于，所述LED外延层自下而上依次包括：

第一半导体层；

量子阱层；以及

第二半导体层；

其中，所述量子阱层包括下部分层与上部分层，所述下部分层自下而上依次包括：n次循环交替的第一势垒层与第一势阱层；所述上部分层自下而上依次包括：m次循环交替的第二势垒层、压应力缓解中间层与第二势阱层；所述n与所述m均为大于1的整数。

6.如权利要求5所述的LED外延层，其特征在于，所述LED外延层符合以下要求中的至少一种：

势垒层的材质包括GaN；

势阱层的材质包括InGaN；

所述压应力缓解中间层的材质包括AlGaN。

7.如权利要求6所述的LED外延层，其特征在于，所述第一势垒层自下而上依次包括：第一GaN层、第二GaN层与第三GaN层；第二GaN层的生长温度高于所述第一GaN层与所述第三GaN层的生长温度，且第二GaN层的生长温度高于所述第二势垒层的生长温度。

8.如权利要求5-7任一项所述的LED外延层，其特征在于，所述上部分层自下而上依次包括：m次循环交替的第一温度过渡层、第二势垒层、压应力缓解中间层、第二温度过渡层与第二势阱层。

9.如权利要求8所述的LED外延层，其特征在于，温度过渡层的材质包括GaN。

10.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片中包括如权利要求5-9任一项所述的LED外延层。