[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质在审
| 申请号： | 202010963924.7 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113436985A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 高野智;松井俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 孙明轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体器件 制造 方法 以及 记录 介质 | ||
本发明提供能够以将基板的凹部内填埋的方式形成膜的技术。提供一种基板处理装置，其具有：供基板载置的基板载置台；从基板载置台的上方侧向基板的面上供给吸附阻碍气体的吸附阻碍气体供给部；从基板载置台的上方侧向基板的面上供给原料气体的原料气体供给部，设于吸附阻碍气体供给部的气体供给口与基板之间的距离(D1)构成为，比设于原料气体供给部的气体供给口与基板之间的距离(D2)大。
技术领域
本发明涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。
背景技术
作为半导体器件的制造工序中的一个工序，有时会进行在基板上形成膜的处理(例如参照专利文献1)。在该情况下，有时会进行以将基板的表面上所设的凹部内填埋的方式形成膜的处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-56410号公报
发明内容
本发明提供能够以将基板的凹部内填埋的方式形成膜的技术。
根据本发明的一个方式，提供一种基板处理装置，其具有：
供基板载置的基板载置台；
从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给吸附阻碍气体的吸附阻碍气体供给部；和
从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给原料气体的原料气体供给部，
设于所述吸附阻碍气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D1构成为，比设于所述原料气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D2大。
发明效果
根据本发明，能够以将基板的凹部内填埋的方式形成膜。
附图说明
图1是表示本发明的第1方式的基板处理装置的主要部分的概略构成例的概念图。
图2是表示本发明的第1方式的基板处理装置的主要部分的详细构成例的图，图2的(a)是表示图1的A-A截面的侧剖视图，图2的(b)是表示图1的B-B截面的侧剖视图。
图3是表示本发明的第1方式的基板处理装置的主要部分的详细构成例的图，是表示图1的C-C截面的侧剖视图。
图4是表示本发明的第1方式的成膜方法的一例的一系列工序的图，图4的(a)是表示吸附阻碍层形成工序的一例的图，图4的(b)是表示原料气体吸附工序的一例的图，图4的(c)是表示基于反应气体进行的改质工序的一例的图。
图5是表示本发明的第2方式的基板处理装置的主要部分的概略构成的一例的概念图。
图6是表示本发明的其他方式的基板处理装置的主要部分的概略构成的一例的概念图。
附图标记说明
200…晶圆，232b…吸附阻碍气体供给部，232c…原料气体供给部，222b…吸附阻碍气体供给口，222b…吸附阻碍气体供给口，222c…原料气体供给口。
具体实施方式
＜本发明的第1方式＞
以下说明本发明的第1方式。
(1)基板处理装置的构成
首先，使用图1、图2的(a)、图2的(b)、图3来说明基板处理装置的构成。本方式的基板处理装置作为对于成为处理对象的基板一片一片地进行处理的枚叶式基板处理装置而构成。作为成为处理对象的基板，例如能够举出制成半导体器件(半导体器件)的半导体晶圆基板(以下仅称为“晶圆”。)。
(处理容器)
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社国际电气，未经株式会社国际电气许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010963924.7/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
