[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

供基板载置的基板载置台；

从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给吸附阻碍气体的吸附阻碍气体供给部；和

从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给原料气体的原料气体供给部，

设于所述吸附阻碍气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D1构成为，比设于所述原料气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离D2大。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，具有在所述吸附阻碍气体供给部的两侧方从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给非活性气体的第1非活性气体供给部，

设于所述第1非活性气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离P1构成为比所述距离D1小。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，具有在所述原料气体供给部的两侧方从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给非活性气体的第2非活性气体供给部，

设于所述第2非活性气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离P2构成为比所述距离D2小。

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，具有在所述原料气体供给部的两侧方从所述基板载置台的上方侧向所述基板的面上供给非活性气体的第2非活性气体供给部，

设于所述第2非活性气体供给部的气体供给口与所述基板之间的距离P2构成为比所述距离D2小。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具有使所述吸附阻碍气体供给部升降而使所述距离D1变化的升降部。

6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，还具有使所述吸附阻碍气体供给部升降而使所述距离D1变化的升降部。

7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，还具有使所述吸附阻碍气体供给部升降而使所述距离D1变化的升降部。

8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，还具有使所述吸附阻碍气体供给部升降而使所述距离D1变化的升降部。

9.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，还具有控制部，该控制部控制所述吸附阻碍气体供给部以及所述原料气体供给部，以实施进行规定次数循环的成膜处理，该循环包括吸附阻碍气体相对于在表面形成有凹部的所述基板的供给、和原料气体相对于所述基板的供给，并且该控制部控制所述升降部，使得在所述成膜处理的实施期间内所述距离D1减少或增加。

10.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，还具有控制部，该控制部控制所述吸附阻碍气体供给部以及所述原料气体供给部，以实施进行规定次数循环的成膜处理，该循环包括吸附阻碍气体相对于在表面形成有凹部的所述基板的供给、和原料气体相对于所述基板的供给，并且该控制部控制所述升降部，使得在所述成膜处理的实施期间内所述距离D1减少或增加。

11.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，还具有控制部，该控制部控制所述升降部，使得根据形成于所述基板的表面的凹部的深度、以及开口阔度中的某一条件来决定所述距离D1的大小。

12.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，还具有控制部，该控制部控制所述升降部，使得根据形成于所述基板的表面的凹部的深度、以及开口阔度中的某一条件来决定所述距离D1的大小。

13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，具有控制部，该控制部控制所述吸附阻碍气体供给部以及所述原料气体供给部，使得当包括吸附阻碍气体相对于在表面形成有凹部的所述基板的供给、和原料气体相对于所述基板的供给在内的循环执行规定次数，且所述凹部内的填埋进行直到规定条件为止时，使所述吸附阻碍气体的供给停止，并使所述原料气体的供给继续。