[发明专利]阻变存储器、阻变存储器芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种阻变存储器，包括多个阻变存储元件，其中，所述多个阻变存储元件中的每个包括在第一方向上依次叠层的第一电极、阻变层和第二电极，

对于所述多个阻变存储元件中的每个，所述第一电极包括在所述第一方向上与所述第二电极交叠的第一部分和与所述第二电极不交叠的第二部分，所述第二电极包括在所述第一方向上与所述第一电极交叠的第三部分和与所述第一电极不交叠的第四部分，

所述阻变层设置在所述第一电极的第一部分与所述第二电极的第三部分之间，并且

所述第二部分、所述第一部分和所述第三部分、所述第四部分沿第二方向依次排布，所述第二方向与所述第一方向垂直，

其中，所述多个阻变存储元件沿所述第二方向依次排布，并且

其中，相邻两个阻变存储元件中的一个阻变存储器元件的第一电极的第二部分在所述第一方向上与另一个阻变存储元件的第二电极的第四部分至少部分交叠。

2.如权利要求1所述的阻变存储器，所述第一电极和所述第二电极相对于所述阻变层的中心呈中心对称。

3.如权利要求1所述的阻变存储器，其中，在所述第二方向上，所述阻变层的尺寸为2纳米至1微米。

4.如权利要求1所述的阻变存储器，其中，在所述第二方向上，相邻两个阻变层的间距为3微米至5微米。

5.如权利要求1所述的阻变存储器，其中，在所述第二方向上，相邻两个第二电极之间的间距为50纳米至1微米，相邻两个第一电极之间的间距为50纳米至1微米。

6.如权利要求1所述的阻变存储器，还包括至少覆盖所述多个阻变存储元件的绝缘保护层，并且所述绝缘保护层的厚度为1微米至1.5微米。

7.如权利要求1所述的阻变存储器，其中，所述阻变存储器的长度为15微米至20微米，宽度为1微米至3微米，

所述长度所在的方向是所述第二方向，所述宽度所在的方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。

8.一种阻变存储器芯片，包括：

衬底；

如权利要求1的阻变存储器；以及

多条导线；

其中，所述阻变存储器设置在所述衬底上，并且所述第一方向作为平行于所述衬底的方向；

所述多条导线中的每条的一端与所述阻变存储器中的多个阻变存储元件的第一电极或第二电极电连接，其另一端用于连接驱动电路。

9.如权利要求8所述的阻变存储器芯片，其中，

相邻两个阻变存储元件中的一个阻变存储器元件的第一电极的第二部分与另一个阻变存储元件的第二电极的第四部分交叠的部分与同一条导线的一端电连接。

10.如权利要求8所述的阻变存储器芯片，其中，

所述阻变存储器中的每个阻变存储元件的第一电极与所述多条导线中的同一条导线电连接，所述阻变存储器中的每个阻变存储元件的第二电极分别与所述多条导线中的不同导线的一端一一电连接。

11.一种阻变存储器的制备方法，包括：

提供基底；以及

在所述基底上形成多个阻变存储元件，所述多个阻变存储元件中的每个包括在第一方向上依次叠层的第一电极、阻变层和第二电极；

其中，在所述第一方向上，对于所述多个阻变存储元件中的每个，所述第一电极包括与所述第二电极交叠的第一部分和与所述第二电极不交叠的第二部分，所述第二电极包括与所述第一电极交叠的第三部分和与所述第一电极不交叠的第四部分，并且所述阻变层设置在所述第一电极的第一部分与所述第二电极的第三部分之间，并且

所述第二部分、所述第一部分和所述第三部分、所述第四部分沿第二方向依次排布，所述第二方向是与所述第一方向垂直的方向，

其中，所述多个阻变存储元件沿所述第二方向依次排布，并且

相邻两个阻变存储元件中的一个阻变存储器元件的第一电极的第二部分在所述第一方向上与另一个阻变存储元件的第二电极的第四部分至少部分交叠。