[发明专利]用于套刻精度测量的标记系统及量测方法

说明书

本申请公开了一种用于套刻精度测量的标记系统及量测方法，系统包括：第一图案层上的第一套刻标记和第二图案层上的第二套刻标记；其中，所述第二套刻标记为接触孔，所述第一套刻标记的垂直投影全部位于第二套刻标记内。通过将接触孔(即实际图案)作为图案层的套刻标记，透过接触孔标记可以看到另一图案层的套刻标记，便于量测设备测量本图案层与另一图案层之间的套刻精度，由于将实际图案作为套刻标记，可以节省单独套刻标记工艺，缩短工艺时间，同时也避免了制作套刻标记工艺带来的测量误差，从而使得测量值与实际产品的套刻精度一致，可以提升产品的良率。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种用于套刻精度测量的标记系统及量测方法。

背景技术

光刻(photolithography)是半导体制造工业中的关键工艺。光刻是通过对准、曝光和显影等步骤将掩模板(mask)上的图形转移到目标基板上的工艺过程。一个产品一般包括多层图案层，需要进行多层光刻工艺才能完成整个产品的制作过程。当层图案与前层图案的位置对准尤为重要。套刻精度(overlay，OVL)就是指不同层之间图案的位置对准偏差，套刻精度的大小反映不同层之间图案的位置对准偏差的大小。

在相关技术中，通过在划片槽(Scribe lane)上成形前层图案和当层图案的套刻标记(overlay mark)，并利用前层图案和当层图案的套刻标记来间接测量前层图案和当层图案的套刻精度，然而鉴于多种复杂原因，利用套刻标记测量的值与实际产品图案的套刻精度存在差异，导致产品不良比重增加。

发明内容

本申请的目的是针对上述现有技术的不足提出的一种用于套刻精度测量的标记系统及量测方法，该目的是通过以下技术方案实现的。

本申请的第一方面提出了一种用于套刻精度测量的标记系统，所述系统包括：第一图案层上的第一套刻标记和第二图案层上的第二套刻标记；

其中，所述第二套刻标记为接触孔，所述第一套刻标记的垂直投影全部位于第二套刻标记内。

本申请的第二方面提出了一种套刻精度量测方法，所述方法包括：

在光刻版图中设置如上述第一方面所述的用于套刻精度测量的标记系统，并通过光刻工艺将所述用于套刻精度测量的标记系统中的第一套刻标记和第二套刻标记分别转移至晶圆上；

利用量测设备测量晶圆上第一图案层和第二图案层之间的套刻精度。

基于上述第一方面所述的用于套刻精度测量的标记系统，具有如下有益效果：

通过将接触孔(即实际图案)作为图案层的套刻标记，透过接触孔标记可以看到另一图案层的套刻标记，便于量测设备测量本图案层与另一图案层之间的套刻精度，由于将实际图案作为套刻标记，可以节省单独套刻标记工艺，缩短工艺时间，同时也避免了制作套刻标记工艺带来的测量误差，从而使得测量值与实际产品的套刻精度一致，可以提升产品的良率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本申请示出的一种相关技术中使用的套刻标记结构示意图；

图2为本申请根据一示例性实施例示出的一种用于套刻精度测量的标记系统结构示意图；

图3为本申请根据图2所示实施例示出的一种套刻精度量测方法的实施例流程图；

图4为本申请示出的一种第一图案层与第二图案层之间的套刻测量示意图。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。