[发明专利]用于套刻精度测量的标记系统及量测方法

权利要求书

1.一种用于套刻精度测量的标记系统，其特征在于，所述系统包括：第一图案层上的第一套刻标记和第二图案层上的第二套刻标记；

其中，所述第二套刻标记为接触孔，所述第一套刻标记的垂直投影全部位于第二套刻标记内。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一套刻标记为方型形态的标记，所述第二套刻标记为孔型的接触孔。

3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述方型的第一套刻标记的垂直投影中心与所述孔型的第二套刻标记的中心重合。

4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一套刻标记的尺寸为50nm～100nm。

5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第二套刻标记的孔型直径尺寸为200nm～300nm。

6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一套刻标记位于划片槽上；

所述第二套刻标记位于芯片内。

7.一种套刻精度量测方法，其特征在于，所述方法包括：

在光刻版图中设置如上述权利要求1～6任一项所述的用于套刻精度测量的标记系统，并通过光刻工艺将所述用于套刻精度测量的标记系统中的第一套刻标记和第二套刻标记分别转移至晶圆上；

利用量测设备测量晶圆上第一图案层和第二图案层之间的套刻精度。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述利用量测设备测量晶圆上第一图案层和第二图案层之间的套刻精度，包括：

利用所述量测设备沿水平方向测量所述第一套刻标记与所述第二套刻标记之间的右距离和左距离；

根据所述右距离和左距离确定所述第一图案层和所述第二图案层之间在水平方向上的水平偏移量；

将所述水平偏移量确定为所述第一图案层和所述第二图案层的套刻精度。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述利用量测设备测量晶圆上第一图案层和第二图案层之间的套刻精度，包括：

利用所述量测设备沿垂直方向测量所述第一套刻标记与所述第二套刻标记之间的上距离和下距离；

根据所述上距离和下距离确定所述第一图案层和所述第二图案层之间在垂直方向上的垂直偏移量；

将所述垂直偏移量确定为所述第一图案层和所述第二图案层的套刻精度。

10.根据权利要求7～9任一项所述的量测方法，其特征在于，所述测量设备为SEM扫描电子显微镜。