[发明专利]非易失性存储器及其操作方法以及电子装置

说明书

一种非易失性存储器，包括：多个块，每一个块包括多个页，每一页包括多个存储器单元；以及控制器，用于执行：接收对所述多个块中的目标块的擦除指令；对所述目标块的每一页执行读取操作；以及以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作。还提供一种非易失性存储器的操作方法以及电子装置。

技术领域

本揭示涉及存储器技术领域，特别是涉及一种非易失性存储器及其操作方法以及电子装置。

背景技术

稳定性(reliability)是闪存(flash memory)的重要课题。影响稳定性的其中一个因素为利用FN隧道效应(Fowler-Nordheim tunneling，FN tunneling)执行擦除操作时的高电场。

举例来说，NAND闪存的块在擦除前有部分的存储器单元为未编程，当所述块包括未编程的存储器单元及编程的存储器单元时，对所述块执行擦除操作时的高电场会对未编程的存储器单元产生更大的压力。若能避免对未编程的存储器单元施加高电场的情况，可以延长闪存的使用寿命。

因此需要对现有技术的问题提出解决方法。

发明内容

本揭示的目的在于提供一种非易失性存储器及其操作方法以及电子装置，其能解决现有技术中执行擦除操作时的高电场会对未编程的存储器单元产生更大的压力的技术问题。

为解决上述问题，本揭示提供的一种非易失性存储器包括：多个块，每一个块包括多个页，每一页包括多个存储器单元；以及控制器，用于执行：接收对所述多个块中的目标块的擦除指令；对所述目标块的每一页执行读取操作；以及以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作。

于一实施例中，对所述目标块的每一页执行读取操作包括：依次向所述目标块的所述多个页的字线施加第一读取电压，进而区分未编程页及已编程页。

于一实施例中，以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作包括：向所述未编程页的字线施加第一电压；以及向所述编程页的字线施加第二电压，其中，所述第一电压大于所述第二电压。

于一实施例中，对所述目标块的每一页执行读取操作包括：向所述目标块的每个页的字线施加第一读取电压，进而区分未编程页及已编程页；以及向所述已编程页的字线施加第二读取电压，从而确定该页中阈值电压超过所述第二读取电压的存储器单元的数量Y。

于一实施例中，以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作包括：向所述未编程页的字线电压施加第一电压。

于一实施例中，以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作包括：当所述已编程页的存储器单元的阈值电压没有超过所述第二读取电压时，向该页的字线施加第二电压。

于一实施例中，以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作包括：当所述已编程页的处于编程状态的存储器单元的数量为X，且Y与X的比值小于预定比值时，向该页的字线电压施加第三电压。

于一实施例中，以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作包括：当所述已编程页的处于编程状态的存储器单元的数量为X，且Y与X的比值大于或等于预定比值时，向该页的字线电压施加第四电压。

于一实施例中，以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作包括：当所述已编程页中阈值电压超过所述第二读取电压的存储器单元的数量Y小于预定数量时，向该页的字线电压施加第三电压。

于一实施例中，以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作包括：当所述已编程页中阈值电压超过所述第二读取电压的存储器单元的数量Y大于或等于预定数量时，向该页的字线电压施加第四电压。