[发明专利]一种利用极图确定晶体织构的通用方法及装置有效

专利信息
申请号: 202010914772.1 申请日: 2020-09-03
公开(公告)号: CN112090965B 公开(公告)日: 2022-08-19
发明(设计)人: 付俊伟;王江春 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: B21B37/00 分类号: B21B37/00;B21B38/00;B21C31/00
代理公司: 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 代理人: 花锦涛
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 确定 晶体 通用 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种利用极图确定晶体织构的通用方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、获取埃尔瓦德球上任意圆的赤面投影的控制方程;

S2、判断待确认样品是轧制材料还是挤压材料,如果是轧制材料则执行步骤S3,如果是挤压材料则直接执行步骤S4;

S3、判断轧制面是否已知,如果是,则执行步骤S4;如果否,则执行步骤S5;

S4、利用控制方程,获取轧制方向RD或者挤压方向ED和任意极点之间的夹角,从而确定待确认样品的轧制方向或挤压方向;

S5、获取轧制面,并返回步骤S4;

其中,所述步骤S1包括:

S11、获取平面H的方程;

S12、获取平面H与埃尔瓦德球相交截面所在的曲线的方程;

S13、基于所述曲线的方程,获取埃尔瓦德球上任意圆的赤面投影控制方程;

所述步骤S11包括:

在直角坐标系中埃尔瓦德球的方程为:

x2+y2+z2=R2 (1)

其中,R是埃尔瓦德球的半径;

基于公式(1),获取平面H的方程如下:

xcosα+ycosβ+zcosγ=L (2)

其中,平面H为:对于埃尔瓦德球内部或球面上任一点M(Lcosα,Lcosβ,Lcosγ),埃尔瓦德球的球心O到点M的长度L,线段OM与x轴,y轴,z轴之间的夹角分别为α,β,γ,通过点M绘制出一个垂直于线OM的平面,得到平面H;

所述步骤S12包括:

S12、获取所述平面H与埃尔瓦德球相交截面所在的曲线的方程;

该平面H与埃尔瓦德球相交,相交的截面为一个圆面,而该截面所在的曲线为圆C;

由公式(1)和(2)得到圆C的方程:

所述步骤S13包括:

S13、基于所述曲线的方程,获取控制方程;

获取线QS的方程:

其中,线QS为:圆C上任意一点Q(X0,Y0,Z0),连接点Q和S得到线QS,点S为所述埃尔瓦德球上的南极点;

计算线QS与赤道平面相交点P的公式:

公式(3)和公式(5),交点P的方程为:

消除公式(6)中的参数X0、Y0、Z0得到控制方程如下:

其中R为埃尔瓦德球的半径,L是埃尔瓦德球内部或球面上的点M(Lcosα,Lcosβ,Lcosγ)与球心之间的长度OM,α,β,γ分别是线段OM与x轴,y轴,z轴之间的夹角。

2.根据权利要求1所述的利用极图确定晶体织构的通用方法,其特征在于,所述判断轧制面是否已知包括:对于任意极图,判断是否有极点(U V W)在极图中心,如果在的话,则极点{U V W}面为相应晶体的轧制面,U、V、W为整数。

3.根据权利要求2所述的利用极图确定晶体织构的通用方法,其特征在于,所述步骤S4包括:

将公式(7)转化为M点位于x轴上任意位置时候的埃尔瓦德球上任意圆的赤面投影控制方程:

其中,R为埃尔瓦德球的半径,L是OM的长度,D是埃尔瓦德球上任意一点,直线MD垂直于OM,直线MD所在的平面H1垂直于直线OM,平面H1与埃尔瓦德球相交形成一个圆ADB,则cosθ=L/R,其中,θ为OD和轧制方向RD之间的角度,D点的赤面投影是极点P;

极点P(x0,y0)的坐标表示为P(aR,bR),其中a=x0/R,b=y0/R,均为常数,结合公式(8)和cosθ=L/R得:

通过公式(9)计算极图中任意极点与轧制方向RD之间的角度,利用常见晶体方向之间角度的参照表来确定轧制方向RD。

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