[发明专利]喷嘴,包括该喷嘴的基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 202010909543.0 | 申请日: | 2020-09-02 |
公开(公告)号: | CN112439573B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 金善美;权五镇;崔世亨 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B05B7/00 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 钟锦舜;王丽 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴 包括 处理 装置 以及 方法 | ||
本发明构思提供了一种用于分配其中产生了等离子体的处理液的喷嘴。该喷嘴包括:主体,其具有内部空间;液体供应单元,其将处理液供应到内部空间中;和电极,其在内部空间中产生等离子体。所述液体供应单元将处于起泡状态的处理液供应到内部空间中,或者使处理液在内部空间中起泡。
技术领域
本文描述的发明构思的实施方式涉及一种喷嘴、包括该喷嘴的基板处理装置以及基板处理方法,并且更具体地,涉及一种用于将处理液分配到基板上以处理基板的喷嘴、包括该喷嘴的基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
随着半导体元件的高密度、高集成度和高性能,按比例缩小的电路图案迅速进展。因此,残留在基板表面上的诸如颗粒、有机污染物、金属污染物等的污染物极大地影响了半导体元件的特性和生产率。因此,在半导体制造工艺中,去除附着至基板表面的各种污染物的清洁工序正突显为主要问题。在制造半导体元件的每个单元工序之前和之后执行清洁工序。通过经分配喷嘴将清洁溶液分配到旋转基板上来执行清洁工序。
由于在基板上形成的图案之间的临界尺寸(CD)变窄,所以难以适当地去除在基板上形成的图案之间的杂质或附着到基板表面的杂质。
为了去除附着到基板表面的杂质,将化学品分配到基板表面上。化学品是具有适合用于去除附着到基板表面的杂质的化学性质的物质。但是,化学品可能会降低工作效率,因为在处理时需要特别注意。另外,化学品可能造成环境污染。因此,需要一种用于提高去除附着到基板表面的杂质的效率的环保型基板清洁方法。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了一种用于有效地处理基板的喷嘴、包括该喷嘴的基板处理装置以及基板处理方法。
本发明构思的实施方式提供了用于在不使用化学品的情况下或通过减少所用化学品的量来执行环保清洁工序的基板处理装置和方法。
本发明构思的实施方式提供了一种用于有效地去除附着到基板的杂质的喷嘴、包括该喷嘴的基板处理装置以及基板处理方法。
本发明构思的实施方式提供了一种用于在待分配到基板上的处理液中有效地产生等离子体的喷嘴、包括该喷嘴的基板处理装置以及基板处理方法。
本发明构思的实施方式提供了一种用于在处理液中产生等离子体时提供附加因素的喷嘴、包括该喷嘴的基板处理装置以及基板处理方法。
本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题,并且本发明构思所属领域的技术人员从以下描述中将清楚地理解本文中未提及的任何其它技术问题。
根据示例性实施方式,一种用于处理基板的装置包括:壳体,所示壳体具有处理空间;支撑单元,所述支撑单元在所述处理空间中支撑所述基板;和液体分配单元,所述液体分配单元包括喷嘴,所述喷嘴将处理液分配到被支撑在所述支撑单元上的所述基板上。所述喷嘴包括:主体,所述主体具有内部空间;液体供应单元,所述液体供应单元将所述处理液供应到所述内部空间中;气体供应单元,所述气体供应单元将气体供应到所述内部空间中;和电极,所述电极在所述内部空间中产生等离子体。所述液体供应单元将处于起泡状态的所述处理液供应到所述内部空间中,或者使所述处理液在所述内部空间中起泡。
根据一个实施方式,液体供应单元可以包括液体供应源;和液体供应管线,所述液体供应管线从所述液体供应源接收所述处理液。在所述主体中可以形成有与所述液体供应管线连接的液体入口,并且,所述液体入口可以被设置成使得从所述液体入口引入到所述内部空间中的所述处理液与所述主体的内壁碰撞以在所述内部空间中起泡。
根据一个实施方式,当从所述主体的正面看时,所述液体入口可以被设置为倾斜的。
根据一个实施方式,可以改变所述电极的位置以沿着所述喷嘴的长度方向改变放电区域,所述放电区域是内部空间的、在其中从所述处理液或所述气体产生等离子体的区域。
根据一个实施方式,所述喷嘴还可以包括致动器,所述致动器改变所述电极的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造