[发明专利]喷嘴,包括该喷嘴的基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 202010909543.0 | 申请日: | 2020-09-02 |
公开(公告)号: | CN112439573B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 金善美;权五镇;崔世亨 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B05B7/00 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 钟锦舜;王丽 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴 包括 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种用于处理基板的装置,所述装置包括:
壳体,所述壳体具有处理空间;
支撑单元,所述支撑单元被配置为在所述处理空间中支撑所述基板;和
液体分配单元,所述液体分配单元包括喷嘴,所述喷嘴被配置成将处理液分配到被支撑在所述支撑单元上的所述基板上;
其中所述喷嘴包括:
主体,所述主体具有内部空间;
液体供应单元,所述液体供应单元被配置成将所述处理液供应到所述内部空间中;
气体供应单元,所述气体供应单元被配置成将气体供应到所述内部空间中;和
电极,所述电极被配置成在所述内部空间中产生等离子体,并且
其中,所述液体供应单元将处于起泡状态的所述处理液供应到所述内部空间中,或者使所述处理液在所述内部空间中起泡,
其中,改变所述电极的位置以沿着所述喷嘴的长度方向改变放电区域,所述放电区域是内部空间的、在其中从所述处理液或所述气体产生等离子体的区域,
其中,所述电极包括:
第一电极,所述第一电极设置在所述内部空间中;和
第二电极,所述第二电极被配置成围绕所述内部空间,并且
其中所述第一电极和所述第二电极中的一个是固定的,并且另一个能够沿所述喷嘴的所述长度方向移动。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述液体供应单元包括:
液体供应源;和
液体供应管线,所述液体供应管线被配置成从所述液体供应源接收所述处理液,
其中,在所述主体中形成有与所述液体供应管线连接的液体入口,并且
其中,所述液体入口被设置成使得从所述液体入口引入到所述内部空间中的所述处理液与所述主体的内壁碰撞以在所述内部空间中起泡。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,当从所述主体的正面看时,所述液体入口被设置为倾斜的。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述喷嘴还包括致动器,所述致动器被配置成改变所述电极的位置。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述主体包括绝缘部,所述绝缘部被配置成围绕所述第一电极,并且
其中所述第二电极能够沿所述第一电极的长度方向移动。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述第一电极和所述第二电极中的一个与电源连接,并且另一个接地。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述第一电极与所述电源连接,并且所述第二电极接地。
8.根据权利要求1至3中的任一项所述的装置,其中,所述装置还包括控制器,所述控制器被配置成控制所述液体分配单元,
其中所述气体供应单元包括:
气体供应源;和
气体供应管线,所述气体供应管线被配置成从所述气体供应源接收所述气体,
其中,在所述主体中形成有与所述气体供应管线连接的气体入口,并且
其中,所述控制器控制所述气体供应源,使得根据要处理的基板的类型来改变供应到所述内部空间中的所述气体的类型。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的装置,其中,所述主体具有在其中形成的分配开口,用于以料流的形式将所述处理液分配到被支撑在所述支撑单元上的所述基板上。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的装置,其中,所述主体由绝缘体实现。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造