[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：

提供半导体结构，所述半导体结构包括介质层，所述介质层上具有多个沟槽；

在所述介质层上共形地形成第一材料层，所述第一材料层在对应所述沟槽内形成第一凹槽；

形成覆盖所述第一凹槽底部的第二材料层；

去除所述第一材料层的至少一部分以将对应所述第一凹槽顶部开口扩大形成第二凹槽；

去除所述第二材料层以形成第三凹槽；以及

形成填充所述多个第三凹槽的第三材料层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二凹槽上部的至少一部分的宽度大于所述第一凹槽的相应部分的宽度。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除所述第一材料层的至少一部分以将对应所述第一凹槽顶部开口扩大形成所述第二凹槽的步骤还包括同时去除所述第二材料层上部的至少一部分。

4.根据权利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，在去除所述第一材料层的至少一部分以将对应所述第一凹槽顶部开口扩大形成所述第二凹槽的步骤中保留所述第二材料层下部的至少一部分。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第三凹槽底部相对于所述沟槽底部的距离等于所述第一凹槽底部相对于所述沟槽底部的距离。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一材料层和/或所述第三材料层的材料包括氧化硅。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二材料层的材料包括光刻胶和/或旋涂碳。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体器件为三维存储器。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一材料层的材料与所述第三材料层的材料相同。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的深宽比大于3.8。

11.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成填充所述多个第三凹槽的所述第三材料层之后，还包括对所述半导体器件进行平坦化。

12.一种半导体器件，包括：

介质层，所述介质层上具有多个沟槽；

覆盖所述介质层的第一材料层，所述第一材料层在对应所述多个沟槽内具有多个凹槽；以及

填充所述多个凹槽的第三材料层；

其中，所述第三材料层与所述多个凹槽的侧壁完全贴合。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为三维存储器。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述第一材料层和/或所述第三材料层的材料包括氧化硅。

15.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述第一材料层的材料与所述第三材料层的材料相同。

16.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽顶部的宽度大于所述凹槽底部的宽度。

17.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽内还具有台阶区。