[发明专利]半导体装置

说明书

本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括基底，有源结构，以及浅沟渠隔离。有源结构设置于基底内，并且包括多个第一有源区以及一第二有源区，第二有源区设置在多个第一有源区外侧。第二有源区还包括多个边角，各该边角的角度大于90度。浅沟渠隔离设置于基底内并环绕有源结构。本发明的半导体装置因设有强化的边角结构，藉此，可改善半导体装置周围的应力，避免半导体结构的倒塌或毁损。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，尤其是涉及一种包括有源结构以及浅沟渠隔离的半导体装置。

背景技术

随着半导体装置微小化以及集成电路的复杂化，组件的尺寸不断地减小，结构亦不断地变化，因此，维持小尺寸半导体组件的效能为目前业界的主要目标。在半导体制作工艺中，多半是在基底上定义出多个有源区域作为基础，再于该些有源区域上形成所需组件。一般来说，有源区域为利用光刻及蚀刻等制作工艺在基底上所形成多个图案，但在尺寸微缩的要求下，有源区域的宽度逐渐缩减，而各个有源区域之间的间距也渐缩小，使得其制作工艺也面临许多限制与挑战，连带影响有源区域的结构稳定度，而容易发生结构倒塌或毁损等问题，以至于无法满足产品需求。

发明内容

本发明之一目的在于提供一种半导体装置，其有源结构具有强化的边角及/或周边，藉此，可改善半导体装置周围的应力，避免半导体结构的倒塌或毁损。

为达上述目的，本发明之一实施例提供一种半导体装置，包括基底，有源结构，以及浅沟渠隔离。该有源结构设置于该基底内，并且包括多个第一有源区以及一第二有源区，该第二有源区设置在该些第一有源区外侧，其中，该第二有源区还包括多个边角，各该边角的角度大于90度。该浅沟渠隔离设置于该基底内并环绕该有源结构。

为达上述目的，本发明之一实施例提供另一种半导体装置，包括基底，有源结构，以及浅沟渠隔离。该有源结构设置于该基底内，该有源结构包括多个第一有源区、一第二有源区以及多个第三有源区，该些第一有源区以及该些第三有源区相互平行、相互分隔且交替地沿着一第一方向排列，该第二有源区设置在该些第一有源区以及该些第三有源区之间，并包围该些第一有源区。该浅沟渠隔离设置于该基底内并环绕该有源结构。

本发明的半导体装置是在装置周围设置可强化边角的结构，如大于90度的边角、增厚的侧边、或是往内侧或外侧延伸的延伸部，使得该装置周围可具有较为稳定、强化的结构，以保护装置内侧的组件，避免发生结构倒塌或毁损。藉此，可改善半导体装置周围的应力，避免半导体结构的倒塌或毁损。

附图说明

图1至图2绘示本发明第一优选实施例中半导体装置的示意图；其中

图1为本发明的半导体装置的俯视示意图；以及

图2为图1沿切线A-A’的剖面示意图；

图3绘示本发明另一实施例中半导体装置的示意图；

图4绘示本发明第二优选实施例中半导体装置的示意图；

图5绘示本发明第三优选实施例中半导体装置的示意图；

图6绘示本发明另一实施例中半导体装置的示意图；

图7绘示本发明另一实施例中半导体装置的示意图；

图8绘示本发明第四优选实施例中半导体装置的示意图；

图9绘示本发明另一实施例中半导体装置的示意图。

其中，附图标记说明如下：

100、基底；110、浅沟渠隔离；111、沟渠；113、介电层；130、有源结构；131、第一有源区；132、开口；133、第二有源区；133a、第一边；133b、第二边；133c、第三边；135、延伸部；431、第三有源区；435、延伸部；531、第三有源区。

具体实施方式