[发明专利]电子元件的接合结构及其制造方法

说明书

本发明提供一种电子元件的接合结构的制造方法包括以下步骤。提供包括第一导电接合部的第一电子组件。提供包括第二导电接合部的第二电子组件。形成第一有机高分子层于第一导电接合部上。形成第二有机高分子层于第二导电接合部上。通过第一导电接合部与第二导电接合部接合第一电子组件与第二电子组件，以使第一电子组件与第二电子组件电性连接。进行接合后第一有机高分子层与第二有机高分子层扩散至第一导电接合部与第二导电接合部内。另提供一种电子元件的接合结构。

技术领域

本发明涉及一种接合结构及其制造方法，尤其涉及一种电子元件的接合结构及其制造方法。

背景技术

一般而言，会有诸多因素影响电子产品品质。举例而言，在电子元件的接合结构中，其接合面因工艺条件常会具有氧化的问题，且欲接合元件的表面平坦度与自身材料特性(如材料本身的物质组成与晶粒微结构)等也会影响接合强度。因此，如何设计出一种电子元件的接合结构可以在有效改善接合面氧化的问题的同时提升接合强度，进而可以具有较佳的产品品质已成为本领域的技术人员的一大挑战。

发明内容

本发明是针对一种一种电子元件的接合结构及其制造方法，其可以在有效改善接合面氧化的问题的同时提升接合强度，进而可以具有较佳的产品品质。

根据本发明的实施例，一种电子元件的接合结构的制造方法包括而不限于以下步骤。提供包括而不限于第一导电接合部的第一电子组件。提供包括而不限于第二导电接合部的第二电子组件。形成第一有机高分子层于第一导电接合部上。形成第二有机高分子层于第二导电接合部上。通过第一导电接合部与第二导电接合部接合第一电子组件与第二电子组件，以使第一电子组件与第二电子组件电性连接。进行接合后第一有机高分子层与第二有机高分子层扩散至第一导电接合部与第二导电接合部内。

在本发明的一实施例中，上述的第一导电接合部与第二导电接合部为金属对金属接合。

在本发明的一实施例中，上述的第一有机高分子层与第二有机高分子层的形成方法为使用有机高分子溶液对第一导电接合部与第二导电接合部进行湿工艺。

在本发明的一实施例中，上述的进行湿工艺的步骤包括而不限于将第一导电接合部与第二导电接合部浸泡至有机高分子溶液中或对第一导电接合部与第二导电接合部喷洒有机高分子溶液。

在本发明的一实施例中，上述的当第一导电接合部的材料与第二导电接合部的材料为铜时，有机高分子溶液包括而不限于具有含氮的官能基、含硫的官能基或其组合的化合物。

在本发明的一实施例中，上述的进行接合前有机高分子层的厚度至少小于2微米。

在本发明的一实施例中，上述的进行接合前第一有机高分子层完全覆盖第一导电接合部的裸露表面以及第二有机高分子层完全覆盖第二导电接合部的裸露表面。

在本发明的一实施例中，上述的当进行接合时第一有机高分子层的量与第二有机高分子层的量逐渐减少。

在本发明的一实施例中，上述的第一有机高分子层的材料与第二有机高分子层的材料相同。

在本发明的一实施例中，上述的第一有机高分子层的材料与第二有机高分子层的材料不具有导电性。

在本发明的一实施例中，上述的第一电子组件与第二电子组件通过热压合工艺进行接合。

在本发明的一实施例中，上述的第一有机高分子层进一步形成于第一电子组件相对于第一导电接合部的表面上且第二有机高分子层进一步形成于第二电子组件相对于第二导电接合部的表面上。

根据本发明的实施例，一种电子元件的接合结构，包括而不限于第一电子组件以及第二电子组件。第一电子组件包括而不限于第一导电接合部。第二电子组件包括而不限于第二导电接合部。第二导电接合部接合于第一导电接合部，以使第一电子组件与第二电子组件电性连接。第一导电接合部与所述第二导电接合部内的晶粒具有细微化晶粒分布的结构。