[发明专利]电子元件的接合结构及其制造方法

权利要求书

1.一种电子元件的接合结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供包括第一导电接合部的第一电子组件；

提供包括第二导电接合部的第二电子组件；

形成第一有机高分子层于所述第一导电接合部上；以及

形成第二有机高分子层于所述第二导电接合部上，

通过所述第一导电接合部与所述第二导电接合部接合所述第一电子组件与所述第二电子组件，以使所述第一电子组件与所述第二电子组件电性连接，其中进行所述接合后所述第一有机高分子层与所述第二有机高分子层扩散至所述第一导电接合部与所述第二导电接合部内。

2.根据权利要求1所述的电子元件的接合结构的制造方法，其特征在于，所述第一导电接合部与所述第二导电接合部为金属对金属接合。

3.根据权利要求1所述的电子元件的接合结构的制造方法，其特征在于，所述第一有机高分子层与所述第二有机高分子层的形成方法为使用有机高分子溶液对所述第一导电接合部与所述第二导电接合部进行湿工艺。

4.根据权利要求3所述的电子元件的接合结构的制造方法，其特征在于，进行所述湿工艺的步骤包括：

将所述第一导电接合部与所述第二导电接合部浸泡至所述有机高分子溶液中；或

对所述第一导电接合部与所述第二导电接合部喷洒所述有机高分子溶液。

5.根据权利要求3所述的电子元件的接合结构的制造方法，其特征在于，当所述第一导电接合部的材料与所述第二导电接合部的材料为铜时，所述有机高分子溶液包括具有含氮的官能基、含硫的官能基或其组合的化合物。

6.根据权利要求1所述的电子元件的接合结构的制造方法，其特征在于，进行所述接合前所述有机高分子层的厚度至少小于2微米。

7.根据权利要求1所述的电子元件的接合结构的制造方法，其特征在于，进行所述接合前：

所述第一有机高分子层完全覆盖所述第一导电接合部的裸露表面；以及

所述第二有机高分子层完全覆盖所述第二导电接合部的裸露表面。

8.根据权利要求1所述的电子元件的接合结构的制造方法，其特征在于，当进行所述接合时所述第一有机高分子层的量与所述第二有机高分子层的量逐渐减少。

9.根据权利要求1所述的电子元件的接合结构的制造方法，其特征在于，所述第一有机高分子层的材料与所述第二有机高分子层的材料相同。

10.根据权利要求1所述的电子元件的接合结构的制造方法，其特征在于，所述第一有机高分子层的材料与所述第二有机高分子层的材料不具有导电性。

11.根据权利要求1所述的电子元件的接合结构的制造方法，其特征在于，所述第一电子组件与所述第二电子组件通过热压合工艺进行所述接合。

12.根据权利要求1所述的电子元件的接合结构的制造方法，其特征在于：

所述第一有机高分子层进一步形成于所述第一电子组件相对于所述第一导电接合部的表面上；且

所述第二有机高分子层进一步形成于所述第二电子组件相对于所述第二导电接合部的表面上。

13.一种电子元件的接合结构，其特征在于，包括：

第一电子组件，包括第一导电接合部；以及

第二电子组件，包括第二导电接合部，其中：

所述第二导电接合部接合于所述第一导电接合部，以使所述第一电子组件与所述第二电子组件电性连接；

所述第一导电接合部与所述第二导电接合部内的晶粒具有细微化晶粒分布的结构。