[发明专利]显示基板及其制备方法和显示装置在审
| 申请号: | 202010897899.7 | 申请日: | 2020-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN112133727A | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
| 发明(设计)人: | 杨小燕;杨玉清;李锡平;于汇洋;谭凤霞;卓永;李慧;张伟;郭钟旭;孙世成;吴欣慰;李存智;赵东升 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 吴俣;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本公开提供了一种显示基板,包括:衬底基板,具有开孔区、围绕所述开孔区的过渡区以及围绕所述开孔区的像素区;至少一个阻墨坝,位于所述过渡区内且围绕所述开孔区;至少一个导电膜层,位于所述过渡区内,所述导电膜层在所述衬底基板上的正投影与所述阻墨坝在所述衬底基板上的正投影存在交叠。在本公开技术方案中,导电膜层用于吸收热量并进行导热,以减少所述阻墨坝上的热量;在激光剥离工艺过程中,由于导电膜层的存在,其能够吸收周围热量,使得阻墨坝所吸收到的热量减少,阻墨坝上的热量减少,阻墨坝的溢气量减小甚至无溢气,可有效避免阻墨坝处出现膜层分离、脱落的现象,提升了产品良率。
技术领域
本发明涉及显示领域,特别涉及一种显示基板及其制备方法和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,为了实现较高屏占比,一系列异形显示屏应运而生。如,目前较为流行的“刘海屏”、“水滴屏”和“打孔屏”。其中,“打孔屏”是指显示区(也称为AA区)包括物理孔的显示屏,该物理孔所在区域也可以称为开孔区,该显示区还包括围绕开孔区的过渡区以及围绕过渡区的像素区。在实际应用中发现,过渡区内的膜层结构容易产生膜层分离(Peeling)的问题,导致产品良率过低。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种显示基板及其制备方法和显示装置。
第一方面,本公开实施例提供了一种显示基板,包括:
衬底基板,具有开孔区、围绕所述开孔区的过渡区以及围绕所述开孔区的像素区;
至少一个阻墨坝,位于所述过渡区内且围绕所述开孔区;
至少一个导电膜层,位于所述过渡区内,所述导电膜层在所述衬底基板上的正投影与所述阻墨坝在所述衬底基板上的正投影存在交叠。
在一些实施例中,所述导电膜层在所述衬底基板上的正投影与所述阻墨坝在所述衬底基板上的正投影,两者完全重叠;
或者,所述阻墨坝在所述衬底基板上的正投影位于所述导电膜层在所述衬底基板上的正投影所围成的区域之内。
在一些实施例中,显示基板还包括:
薄膜晶体管,位于像素区域;
平坦化层,位于薄膜晶体管背向所述衬底基板一侧;
第一电极,位于所述平坦化层背向所述衬底基板一侧;
像素界定层,位于所述第一电极背向所述衬底基板一侧。
在一些实施例中,所述阻墨坝包括:
第一堆积膜层,与所述平坦化层的材料相同且同层设置;
和/或,第二堆积膜层,与所述像素界定层的材料相同且同层设置。
在一些实施例中,所述显示基板还包括:
隔垫坝,位于所述像素界定层背向所述衬底基板的一侧;
所述阻墨坝还包括:
第三堆积膜层,与所述隔垫坝的材料相同且同层设置。
在一些实施例中,所述至少一个导电膜层包括:至少一个第一导电膜层,所述第一导电膜层与所述薄膜晶体管的栅极、源漏电极、有源层、电容极板层中的一者材料相同且同层设置。
在一些实施例中,所述至少一个导电膜层包括:第二导电膜层,所述第二导电膜层与所述第一电极的材料相同且同层设置。
在一些实施例中,所述至少一个导电膜层包括:至少一个第一导电膜层和第二导电膜层;
所述第一导电膜层与所述薄膜晶体管的栅极、源漏电极、有源层、电容极板层中的一者材料相同且同层设置;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010897899.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:共享空调的消息同步方法及消息同步设备
- 下一篇:一种空调除湿控制方法及设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





