[发明专利]金属互连结构的刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010895740.1 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112053949B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 马莉娜;姚道州;肖培 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 刻蚀 方法 | ||
1.一种金属互连结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：
通过光刻工艺在抗反射层上除目标区域以外的其它区域覆盖光阻，所述抗反射层形成于第一介质层上，所述第一介质层形成于第二介质层上，所述第二介质层形成于第三介质层上，所述第三介质层中形成有金属连线；
通过低刻蚀比的反应气体刻蚀去除所述目标区域的抗反射层，所述低刻蚀比的反应气体是对光阻/抗反射层的刻蚀速率的比值是1至2的气体；
通过包括氟碳化合物的反应气体进行刻蚀；
通过包括氟碳化合物和氢气的反应气体进行刻蚀在所述光阻和刻蚀形成的通孔的表面形成保护层；
通过包括氟碳化合物的反应气体进行刻蚀去除所述目标区域的第一介质层和第二介质层；
去除所述光阻。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抗反射层包括BARC。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述低刻蚀比的反应气体包括氮气。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过包括氟碳化合物的反应气体进行刻蚀的刻蚀时间为10秒至40秒。
5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述第一介质层包括TEOS。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二介质层包括NDC。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第三介质层包括二氧化硅层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属连线包括铜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
