[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202010892357.0 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN111863929A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 孔超;杨一帆;张伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 蒋冬梅;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
一种显示基板,包括:衬底基板,衬底基板包括显示区域,显示区域设置有多个子像素和一个导电保护结构。多个子像素中的至少一个子像素包括:发光元件以及驱动发光元件发光的驱动电路。发光元件和导电保护结构位于驱动电路远离衬底基板的一侧。导电保护结构包括至少一个导电部,至少一个导电部位于至少两个相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。导电保护结构与一信号端电连接,配置为减少相邻子像素之间的载流子传输。
技术领域
本文涉及但不限于显示技术领域,尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度等优点。随着显示技术的不断发展,以OLED为发光器件、由薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor)进行信号控制的显示装置已成为目前显示领域的主流产品。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。
一方面,本公开提供一种显示基板,包括:衬底基板,所述衬底基板包括显示区域,所述显示区域设置有多个子像素和一个导电保护结构。多个子像素中的至少一个子像素包括:发光元件以及驱动所述发光元件发光的驱动电路。所述发光元件和所述导电保护结构位于所述驱动电路远离所述衬底基板的一侧。所述导电保护结构包括至少一个导电部,所述至少一个导电部位于至少两个相邻子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。所述导电保护结构与一信号端电连接,配置为减少相邻子像素之间的载流子传输。
在一些示例性实施方式中,所述至少一个导电部位于至少两个相邻的不同颜色的子像素的发光元件各自用于发光的部分之间的间隔。
在一些示例性实施方式中,所述发光元件包括有机功能层,所述有机功能层包括至少两层有机层,所述至少一个导电部与其中至少一层有机层接触。
在一些示例性实施方式中,所述至少两层有机层中包括第一层,所述第一层在所述衬底基板的投影至少与两个所述子像素的发光元件的用于发光的部分在所述衬底基板的投影有交叠,所述第一层与所述至少一个导电部接触。
在一些示例性实施方式中,所述第一层为多个子像素的发光元件之间的共通层。
在一些示例性实施方式中,所述至少一个导电部的电阻率小于所述至少一个导电部所接触的有机层的电阻率。
在一些示例性实施方式中,所述显示区域还设置有像素定义层,位于所述驱动电路远离所述衬底基板的一侧。所述像素定义层包括:多个子像素定义部,相邻子像素定义部之间形成像素定义层开口,所述发光元件位于所述像素定义层开口的部分用于发光。所述导电保护结构设置在所述子像素定义部远离所述衬底基板的一侧,且所述子像素定义部在所述衬底基板的投影覆盖所述导电保护结构在所述衬底基板的投影。
在一些示例性实施方式中,所述发光元件还包括:第一电极和第二电极。所述第一电极设置在所述驱动电路远离所述衬底基板的一侧,且与所述驱动电路电连接,所述像素定义层的像素定义层开口暴露出所述第一电极的至少部分。所述有机功能层设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧,并通过所述像素定义层开口与所述第一电极接触。所述第二电极设置在所述有机功能层远离所述衬底基板的一侧,并与所述有机功能层接触。
在一些示例性实施方式中,所述有机功能层包括:发光层以及以下至少之一:空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层。
在一些示例性实施方式中,所述至少一个导电部在所述衬底基底的投影与两个子像素的发光层在所述衬底基板的投影有交叠,且与所述像素定义层开口在所述衬底基板的投影没有交叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的