[发明专利]大面阵红外探测器及其芯片低应力冷头结构

权利要求书

1.一种大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，其特征在于，包括：

杜瓦冷台；

陶瓷结构件，粘接于所述杜瓦冷台；

至少一层陶瓷框架，粘接于所述陶瓷结构件远离所述杜瓦冷台的一侧；

探测器混成芯片，粘接于所述至少一层陶瓷框架远离所述陶瓷结构件的一侧；

所述至少一层陶瓷框架包括依次层叠设置的第一层陶瓷框架、第二层陶瓷框架、和第三层陶瓷框架，所述第一层陶瓷框架与所述第二层陶瓷框架粘接，所述第二层陶瓷框架与所述第三层陶瓷框架粘接；

所述陶瓷结构件包括主体部和支撑部，所述支撑部呈环形且外套于所述主体部；

所述主体部的下端与所述杜瓦冷台粘接，所述主体部的上端与所述第二层陶瓷框架粘接；

所述第三层陶瓷框架呈环形且外套于所述主体部，所述第三层陶瓷框架的上表面与所述第二层陶瓷框架粘接，所述第三层陶瓷框架的下表面与所述支撑部粘接。

2.如权利要求1所述的大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，其特征在于，所述探测器混成芯片的面积为16mm×12.8mm。

3.如权利要求1-2中任一项所述的大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，其特征在于，所述至少一层陶瓷框架以及所述陶瓷结构件均为Al₂O₃材料件。

4.如权利要求1所述的大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，其特征在于，所述至少一层陶瓷框架包括第四层陶瓷框架；

所述大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，还包括：陶瓷垫片；

所述第四层陶瓷框架的下表面与所述陶瓷结构件粘接，所述第四层陶瓷框架的上表面与所述陶瓷垫片的下表面粘接，所述陶瓷垫片的上表面与所述探测器混成芯片粘接。

5.如权利要求4所述的大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，其特征在于，所述陶瓷垫片为SiC材料件；

所述第四层陶瓷框架以及所述陶瓷结构件均为AlN材料件。

6.如权利要求5所述的大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，其特征在于，所述探测器混成芯片的面积为32mm×25.6mm。

7.如权利要求1所述的大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，其特征在于，所述探测器混成芯片，包括：

硅读出电路；

探测器芯片，与所述硅读出电路通过铟柱和胶互连。

8.一种大面阵红外探测器，其特征在于，包括：根据权利要求1-7中任一项所述的大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构。