[发明专利]电子封装银浆、电子封装银膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种电子封装银浆、电子封装银膜及其制备方法。所述电子封装银浆包括重量百分比的组分有：银微粒60％～85％、分散剂1％～5％、活性剂0.1％～1％、有机溶剂10％～30％、成膜剂1％～5％。所述电子封装银膜由所述电子封装银浆形成的膜层。所述电子封装银浆分散体系稳定，所述电子封装银膜中各成分分布均匀，性能稳定，从而有效保证了烧结焊点的强度及性能均一性；另外，有机物残留少，便于形成高可靠性焊点，而且适用于各种尺寸部件的烧结连接；其次，由于所述电子封装银膜不含溶剂，因此，有效简化了封装工艺。

技术领域

本发明属于电子封装材料技术领域，特别涉及一种电子封装银浆、电子封装银膜及其制备方法。

背景技术

在电力电子领域中，功率器件需要承受较大的电流、电压以及较高的能量密度。这需要封装互连材料具有高导电、导热性能和优良的机械性能，随着器件集成度的增加及以SiC为代表的第三代半导体的逐渐商用化，传统的钎焊或压接形式已经不能满足功率器件对散热、导电及机械性能的要求，在此背景下以烧结银工艺为代表的新型封装方法已逐渐成为功率器件封装的主流技术。

由于纳米金属颗粒的高表面能、低熔点特性，近年来国内外提出使用纳米金属烧结封装电子芯片，其中，纳米银膏是目前使用相对普遍的一种，其被广泛用于完成高温电子器件的低温低压烧结封装，在微电子领域占有极其重要的地位。

纳米银膏作为一种新型绿色无铅化连接材料，具有良好的机械性能、导电及导电和导热性能，同时还具有良好的延展性及耐高温性能，可克服传统焊料互连的缺陷，满足大功率电力电子器件的高温封装要求，正引起电子行业学者和工程师们的广泛关注，已有关于纳米银膏的研究工作展开，且取得了不同程度的进展。

目前常见的烧结银技术多以银膏为原料来进行烧结互连，其工艺步骤为：混料→脱泡→丝网印刷或点胶→烘干→贴片→烧结。

但是在实际生产中发现，现有的银膏一方面存在分散体系稳定性不太理想，易造成封装不均匀等问题，另一方面银膏在封装，特别是对于大尺寸芯片的封装，由于银膏含有溶剂导致其使用过程中焊点中心溶剂挥发受阻、残留有机物难分解的问题，无法实现大面积高可靠性、高导电导热性的焊点成型，此外银膏焊点的性能还受印刷工艺和烘干工艺的影响，不利于大范围工业化应用推广。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种电子封装银浆和电子封装银膜及其制备方法，以解决现有银膏存在分散体系稳定性和不太理想的中心焊点溶剂挥发受阻、残留有机物难分解的问题。

为了实现上述发明目的，本发明的一方面，提供了一种电子封装银浆。所述电子封装银浆包括如下重量百分比的组分：

本发明的另一方面，提供了一种电子封装银膜。所述电子封装银膜是由本发明电子封装银浆形成的膜层。

本发明的再一方面，提供了一种电子封装银膜的制备方法。所述电子封装银膜的制备方法包括如下步骤：

将本发明电子封装银浆在基底表面形成湿膜层；

将所述湿膜层进行成膜干燥处理。

与现有技术相比，本发明具有以下的技术效果：

本发明电子封装银浆通过将银微粒与成膜剂和其他助剂共同作用，能够使得银微粒、成膜剂等组分均匀分散，形成分散均匀的浆料，而且浆料的分散体系稳定。另外，所述电子封装银浆还具有良好的成膜性能。

本发明电子封装银膜由于是采用本发明电子封装银浆形成，因此，所述电子封装银膜中各成分分布均匀，性能稳定，从而有效保证了烧结焊点的强度及性能均一性；另外，有机物残留少，便于形成高可靠性焊点，而且适用于各种尺寸部件的烧结连接；其次，由于所述电子封装银膜不含溶剂，因此，有效简化了封装工艺。