[发明专利]三维存储器设备的开口布局

权利要求书

1.一种形成多个器件开口的方法，包括：

在衬底的第一区域和第二区域上形成材料层，所述第一区域是与所述第二区域相邻的；

在所述材料层上形成掩模层，所述掩模层覆盖所述第一区域和所述第二区域；

在所述掩模层上形成图案化层，所述图案化层覆盖所述第一区域和所述第二区域，并且包括在所述第一区域中用来形成沟道通孔的多个开口，其中，所述第一区域中用来形成沟道通孔的所述多个开口包括与所述第一区域和所述第二区域之间的边界相邻的第一开口、以及比所述第一开口离所述边界要远的第二开口，并且其中，所述第一开口位于与所述边界相邻的第一行中，并且所述第二开口至少位于沿着第一方向离所述边界更远并且与所述第一行相邻的第二行中和沿着所述第一方向离所述边界更远并且与所述第二行相邻的第三行中，所述第一开口与所述第二行中的第二开口之间的距离大于所述第二行中的第二开口与所述第三行中的第二开口之间的距离；

使用所述图案化层来图案化所述掩模层，以形成被图案化的掩模层；以及

使用所述被图案化的掩模层来图案化所述材料层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，沿着与所述衬底的顶面平行的平面，所述第一开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸，并且其中，所述多个开口中的开口的尺寸包括所述开口的面积、长度和宽度中的一项或多项。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一开口沿着第一方向的长度大于所述第一开口沿着第二方向的宽度，所述第一方向与所述衬底的所述顶面平行并且从所述第二区域指向所述第一区域，所述第二方向与所述衬底的所述顶面平行并且与所述第一方向垂直。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二开口沿着所述第一方向的长度与所述第二开口沿着所述第二方向的宽度相等。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其中，所述第一开口沿着所述第一方向的所述长度比所述第一开口沿着所述第二方向的所述宽度要大2nm至3nm。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一开口沿着所述第二方向的所述宽度比所述第二开口沿着所述第二方向的所述宽度要大1nm至2nm。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一开口沿着所述第二方向的所述宽度比所述第二开口沿着所述第一方向的所述长度要大1nm至2nm。

8.根据权利要求3或4所述的方法，其中，所述多个开口还包括与所述边界相邻的一个或多个第一开口、以及比所述第一开口离所述边界要远的一个或多个第二开口，并且其中，所述第一开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一开口和所述第二开口形成阵列，所述阵列包括沿着所述第一方向的多行和沿着所述第二方向的多列。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一开口具有相同的尺寸并且具有椭圆形的形状。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述第二行中的所述第二开口具有相同的尺寸并且具有圆形的形状。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二开口具有相同的尺寸。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述第一行中的所述第一开口的尺寸以及在所述第二行和所述第三行中的所述第二开口的尺寸沿着所述第一方向减小。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二区域与所述第一区域之间还包括一个或多个边界，并且开口的尺寸沿着从每个边界到所述阵列的内部的方向减小。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述阵列的所述内部包括所述阵列的中间点或中心中的一者。