[发明专利]石墨盘翻转式GaN单晶衬底激光预剥离集成腔在审
| 申请号: | 202010823206.X | 申请日: | 2020-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN111778559A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
| 发明(设计)人: | 韩海军;程发斌;王小龙;张鹏;朱昌亚 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院总体工程研究所 |
| 主分类号: | C30B29/40 | 分类号: | C30B29/40;C30B25/18;C30B25/02 |
| 代理公司: | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人: | 许驰 |
| 地址: | 621908*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 石墨 翻转 gan 衬底 激光 剥离 集成 | ||
1.石墨盘翻转式GaN单晶衬底激光预剥离集成腔,其特征在于,包括:
腔壳体;
翻转机构;翻转机构的作动输出端与腔壳体连接,并用于对腔壳体的翻转驱动;
HVPE通道连接筒;腔壳体内部通过HVPE通道连接筒与HVPE设备连接;
摄像头定位窗口、激光预剥离窗口;摄像头定位窗口、激光预剥离窗口均开设在腔壳体上;
用于实现中转托盘(13)在托盘工位和激光预剥离工位之间的工位转换的中转托盘模块;中转托盘模块安装在腔壳体上,其作动部分置于腔壳体内部,其作动部分与中转托盘(13)连接;
托盘工位模块(22);托盘工位模块(22)包括用于保温托盘(17)抓紧与放开的固定模块、用于固定模块及保温托盘(17)旋转的旋转模块、用于保温托盘(17)、固定模块、旋转模块升降控制的升降模块;
其中,中转托盘(13)上的GaN晶片槽位与保温托盘(17)盘面的GaN晶片槽位一一对应,用于全盘承接保温托盘(17)上所有的GaN单晶衬底片。
2.根据权利要求1所述的石墨盘翻转式GaN单晶衬底激光预剥离集成腔,其特征在于,翻转机构包括:
翻转轴支承座(2);
轴承A(3);轴承A(3)安装在翻转轴支承座(2)内;
翻转驱动轴(4);轴承A(3)套装在翻转驱动轴(4)上,翻转驱动轴(4)的一端与腔壳体的第一端连接。
3.根据权利要求2所述的石墨盘翻转式GaN单晶衬底激光预剥离集成腔,其特征在于,翻转机构还包括:
通道连接支承座(14);
轴承B(15);轴承B(15)安装在通道连接支承座(14)内;轴承B(15)套装在腔壳体的第二端上;翻转轴支承座(2)和通道连接支承座(14)均安装在底座(1)上。
4.根据权利要求2所述的石墨盘翻转式GaN单晶衬底激光预剥离集成腔,其特征在于,中转托盘模块包括:
电机A(10);电机A(10)安装在腔壳体外壁上;
配重块(8);
转臂(9);配重块(8)和转臂(9)均置于腔壳体内部,电机A(10)的转轴穿过腔壳体后与转臂连接,转臂的两端分别与配重块(8)和中转托盘(13)连接;转臂转动至第一位置时候,通过在摄像头定位窗口处外置摄像头,以实时观察LLO集成腔内整个保温托盘(17)表面的GaN单晶衬底片的分布位置及状态;转臂转动至第二位置时候,通过在激光预剥离窗口处外置激光设备探头,以实现通过激光预剥离窗口将激光引入到中转托盘(13)上,进行GaN单晶衬底片的预剥离。
5.根据权利要求4所述的石墨盘翻转式GaN单晶衬底激光预剥离集成腔,其特征在于,中转托盘(13)包括:
水冷保护罩(131);
电热盘(132);
石墨盘(133);
水循环腔(134);
其中在转臂(9)内设置有进水通道(91)、出水通道(92)、电缆通道(93);进水通道(91)的第一端、出水通道(92)的第一端、电缆通道(93)的第一端均与外部连通,进水通道(91)的第二端和出水通道(92)的第二端分别与水循环腔(134)的进水端和出水端连接,电缆布设在电缆通道(93)内,电缆与电热盘(132)电性连接,水冷保护罩(131)和电热盘(132)均与石墨盘(133)热传递连接。
6.根据权利要求4所述的石墨盘翻转式GaN单晶衬底激光预剥离集成腔,其特征在于,
摄像头定位窗口包括透明的石英玻璃A(11)、玻璃固连块A(12),石英玻璃A(11)通过玻璃固连块A(12)固定在腔壳体上;
激光预剥离窗口包括透明的石英玻璃B(24)、玻璃固连块B(23),石英玻璃B(24)通过玻璃固连块B(23)固定在腔壳体上。
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