[发明专利]晶圆的清洗方法有效
| 申请号： | 202010817511.8 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111933516B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 刘冲;吴长明;姚振海;陈骆;王绪根;朱联合;韩建伟;刘希仕 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 | ||
1.一种晶圆的清洗方法，其特征在于，包括：
在晶圆的正面悬涂钝化材料，所述钝化材料包括非感光性聚酰亚胺；
对所述晶圆进行烘烤处理；
通过药剂对所述晶圆的边缘区域进行清洁处理，所述药剂包括N-甲基吡咯烷酮，所述晶圆的边缘区域是从所述晶圆的边缘向内延伸1毫米至3毫米的环形区域；
旋转所述晶圆，旋转所述晶圆的转速为2500RPM至3500RPM。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过药剂对所述晶圆的边缘区域进行清洁处理，包括：
通过所述药剂对所述边缘区域进行去边处理；
通过所述药剂对所述晶圆的背面进行清洁处理。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过所述药剂对所述边缘区域进行去边处理，包括：
对所述边缘区域喷涂所述药剂以对所述边缘区域的钝化材料进行去除。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过所述药剂对所述晶圆的背面进行清洁处理，包括：
对所述背面喷涂所述药剂以对所述背面的钝化材料进行去除。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行烘烤处理包括第一阶段的烘烤处理和第二阶段烘烤处理，所述第一阶段的烘烤处理和所述第二阶段的烘烤处理的温度不同；
所述第一阶段的烘烤处理的时间为120秒至240秒；
第二阶段的烘烤处理的时间为120秒至240秒。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一阶段的烘烤处理的温度为70摄氏度至110摄氏度。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二阶段的烘烤处理的温度为110摄氏度至130摄氏度。
8.根据权利要求1至7任一所述的方法，其特征在于，所述晶圆上集成有高压功率器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
