[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010816917.4 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN113411053A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 陈南平 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H03F1/08 | 分类号： | H03F1/08;H03F3/195 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，具有：
多个输入端子；
第一连接端子，用于连接外接电感器的一端；
第二连接端子，用于连接所述电感器的另一端；
选择器，选择所述多个输入端子中的一个并与所述第一连接端子连接；
放大器，输入被连接于所述第二连接端子；以及
匹配电路，并联连接于所述第一连接端子和所述第二连接端子之间，包括第一开关、第二开关及电容器，所述电容器的一端经由所述第一开关与所述第一连接端子连接，所述电容器的另一端经由所述第二开关与所述第二连接端子连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述匹配电路形成于SOI基板上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述外接电感器包含感应性电抗。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第一开关及所述第二开关由场效应晶体管构成。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述匹配电路具有：第三开关，一端与所述第一开关和所述电容器的第一连接点连接，另一端与基准电位连接；以及第四开关，一端与所述第二开关和所述电容器的第二连接点连接，另一端与基准电位连接。
6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
所述第三开关及所述第四开关由场效应晶体管构成。
7.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
所述匹配电路具有：第五开关，设置于所述电容器的所述一端与所述第一连接点之间；以及第六开关，设置于所述电容器的所述另一端与所述第二连接点之间。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
所述第五开关及所述第六开关分别由场效应晶体管构成。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述匹配电路在所述第一连接端子与所述第二连接端子之间并联连接有多个。
10.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，
所述第三开关及所述第四开关中的每一个具有多个晶体管。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，
在所述第三开关及所述第四开关中的每一个中，所述多个晶体管串联连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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